本发明涉及一种双阳极横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：漂移区；集电区，设于漂移区中；第一阳极区；第二导电类型掺杂区，位于漂移区中且至少一部分位于第一阳极区和集电区之间，从而将第一阳极区和集电区隔开，第二导电类型掺杂区的...

本发明涉及一种阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：漂移区，具有第一导电类型；集电区，设于所述漂移区中，具有第二导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；阳极区，具有第一导电类型；隔离结构，包括设于...

本发明涉及一种耗尽型阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：漂移区，具有第一导电类型；集电区，设于所述漂移区中，具有第二导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；阳极区，具有第一导电类型；第二导电类型...

本申请涉及一种静电防护器件及静电防护电路。该静电防护器件包括：衬底；隔离环，设于所述衬底内；所述隔离环内设有隔离环引出区，所述隔离环引出区内设有隔离环重掺杂区；晶体管区，设于所述隔离环的内侧的所述衬底内，且与所述隔离环间隔设置；第一阱区...

本发明涉及一种光学临近修正方法、掩模版、可读存储介质及计算机设备，所述方法包括：获取掩模版设计图形；对掩模版设计图形的外边缘进行解析分割；在所述掩模版设计图形中宽度不大于第一尺寸的线条端图形的第一长边上，按照预设的目标点间距放置多个目标...

本申请涉及一种光学邻近修正方法和掩膜板，该方法包括：提供具有3Bar结构的原始版图；获取所述3Bar结构的待补偿Bar图形的偏差；于所述原始版图中选定所述3Bar结构；根据所述偏差对所述3Bar结构的所述待补偿Bar图形进行补偿，以获取...

本发明涉及一种晶闸管及ESD保护器件，所述ESD保护器件包括晶闸管，所述晶闸管包括：N型区；P型区，P型区与N型区直接接触；第一N型掺杂区，设于N型区中；第二N型掺杂区，设于N型区中；第一P型掺杂区，设于N型区中；第三N型掺杂区，设于P...

本发明涉及一种半导体器件结构及其加工方法，所述方法包括：获取基底，基底的第一表面形成有图案化的硬掩膜层；在硬掩膜层上和基底上形成图案化的第一刻蚀阻挡层，第一刻蚀阻挡层具有沟槽窗口；通过Bosch工艺干法刻蚀基底至预定深度，形成沟槽，第一...

本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法，该横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底，设有沟槽；漂移区，位于衬底内；其中，沟槽围绕漂移区设置；介质层，位于衬底上，且围绕漂移区设置；其中，介质层覆盖第一侧壁的至少部分，以及与第...

本申请涉及一种提高金属层包孔面积的光学邻近修正方法和掩膜板。包括：获取通孔层版图和金属层版图；对金属层版图中的金属条进行选择性目标尺寸调整，以形成第一版图；对第一版图中的金属条进行金属补偿并形成第二版图，以使金属条能够覆盖通孔；对第二版...

本发明涉及一种场截止型绝缘栅双极晶体管及其制造方法，所述场截止型绝缘栅双极晶体管包括漂移区、正面结构及背面结构，所述背面结构包括：电极层；集电区，位于所述电极层上，具有第二导电类型；场截止层，位于所述集电区上，具有第一导电类型，所述漂移...

本发明涉及一种阳极短路横向绝缘栅双极晶体管模型，包括：NMOS管M1，所述NMOS管M1的源极连接所述SA‑LIGBT的发射极，所述NMOS管M1的栅极连接所述SA‑LIGBT的栅极；NPN三极管QN1，所述NPN三极管QN1的发射极连...

本发明涉及一种晶圆预处理方法及晶圆、DSOI器件，所述方法包括：获取晶圆；在于所述晶圆中形成器件之前，在所述晶圆的背面形成掺N型离子的硅氧化物层；在于所述晶圆中形成器件之前，在所述硅氧化物层的表面形成保护层以避免所述硅氧化物层中的杂质外...

本发明涉及一种半导体器件结构及其加工方法，所述方法包括：获取基底；在基底表面形成图案化的第一刻蚀阻挡层，所述第一刻蚀阻挡层具有沟槽窗口；刻蚀所述基底至第一预定深度，形成沟槽；去除所述第一刻蚀阻挡层并在所述沟槽中填充牺牲层材料；在所述基底...

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：获取衬底，衬底具有填充有绝缘介质的沟槽；光刻并对绝缘介质进行湿法刻蚀，使一部分光刻胶下方的绝缘介质被去除从而形成悬空的光刻胶；通过去胶设备去除悬空的光刻胶，刻蚀窗口扩大；通过刻蚀窗口再...

本发明涉及一种利用剥离工艺进行图形转移的方法及半导体器件结构，所述方法包括：获取基底，基底上形成有台阶结构；在台阶结构的侧面形成侧墙结构；在基底上、台阶结构上及侧墙结构上形成光刻胶层；使用具有目标材料图形的光刻版对光刻胶层进行曝光，然后...

本发明提供一种半导体结构的制作方法。该制作方法包括：提供包括CMOS区和LDMOS区的基底；在基底中形成注入阱，注入阱与基底的上表面具有大于零的间距，注入阱包括位于CMOS区的基底中的第一注入阱以及位于LDMOS区的基底中的第二注入阱；...

本发明涉及一种沟槽栅IGBT器件及其制造方法，所述方法包括：获取晶圆，所述晶圆包括基底，所述基底形成有从基底的第一表面向基底的第二表面延伸的沟槽，所述第一表面和所述沟槽的内表面形成有栅介质层，所述沟槽中形成有被所述沟槽内的所述栅介质层包...

本发明涉及一种光学邻近修正方法、掩膜版及可读存储介质，所述方法包括：获取掩膜版设计图形；对于所述掩膜版设计图形中有源区图案的第一边缘与接触孔图案的第二边缘的间距不满足第一预设条件的区域，将所述第一边缘外扩至所述间距满足所述第一预设条件；...

本发明涉及一种沟槽型双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，所述方法包括：使用有源区光刻版在衬底上形成硬掩膜层，并以所述硬掩膜层为刻蚀阻挡层刻蚀形成第一沟槽，所述第一沟槽的两侧为有源区；在第一沟槽中形成底栅和底栅上的绝缘隔离结构；在硬掩...