IGBT器件背面工艺方法及IGBT器件技术

本发明专利技术提供了IGBT器件背面工艺方法及IGBT器件。该方法包括：在形成背面金属层之前，利用含有氨水和双氧水的清洗液对IGBT器件的背面进行清洗的步骤。通过该清洗步骤可以有效去除前面工序引入的有机粘污和颗粒，大大降低了背面金属脱落的几率，且增加该清洗步骤后，IGBT饱和电压均匀性也明显改善。

【技术实现步骤摘要】
IGBT器件背面工艺方法及IGBT器件
本专利技术涉及半导体
，具体的，涉及IGBT器件背面工艺方法及IGBT器件。
技术介绍
目前，随着新能源汽车的高速发展，IGBT和FRD等功率半导体器件的需求也越来越大。功率半导体器件与IC类产品的一个显著区别就是芯片背面作为一个电极使用，因此在功率半导体器件晶圆加工过程中就需要比较复杂的背面工艺过程。在整个背面工艺过程中，一个常见的问题就是背面金属脱落，而且一般要到封装过程的划片工艺后才能被发现。从背面金属蒸镀工艺到划片工艺一般有1周以上的时间，一旦发生批次性异常，受影响的晶圆多达几百甚至上千片，严重影响IGBT模块的生产并造成巨大浪费。背面金属脱落按照发生严重程度分为片状和点状。片状背面金属脱落发生时，芯片背面金属整片脱落，导致无法进行焊接；点状金属脱落发生时，芯片背面出现微小面积的金属脱落，不影响焊接，但是根据实际验证发现，存在点状背面金属脱落的芯片焊接成模块后，在同样的温升情况下，电流输出能力小约40A。因此解决背面金属脱落从降低成本和提高可靠性两个方面都非常重要。然而，目前关于背面金属脱落的相关研究仍有待深入。
技术实现思路
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【技术保护点】
一种IGBT器件背面工艺方法，其特征在于，在形成背面金属层之前，利用含有氨水和双氧水的清洗液对IGBT器件的背面进行清洗。

【技术特征摘要】
1.一种IGBT器件背面工艺方法，其特征在于，在形成背面金属层之前，利用含有氨水和双氧水的清洗液对IGBT器件的背面进行清洗。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含有氨水和双氧水的清洗液为体积比为(1-3)：(1-3)：(2-8)的氨水、双氧水和水的混合液。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氨水的体积浓度为28-30％，双氧水的体积浓度为30-32％。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗是在22-30摄氏度下进行的。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗的时间为8-10分钟。6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，其特征在于，包括：(1)提供正面工艺完成的IGBT晶圆；(2)对所述IGBT晶圆进行厚度减薄；(3)对步骤(2)得到的IGBT晶圆进行背面离子注入；(4)对步骤(3)得到的IGBT晶圆进行注入离子激活；(5)...

【专利技术属性】
技术研发人员：李永辉，陈湛，王艳春，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44