MOS器件及工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种MOS器件，包含衬底及覆盖在衬底之上的多晶硅栅极，衬底中具有场氧，场氧之间具有轻掺杂源漏区，以及MOS器件的源区及漏区，源区及漏区之间为沟道区，多晶硅栅极和栅氧化层覆盖在沟道区之上，接触孔分别与源区及漏区接触将其引出；所述多晶硅栅极两侧具有双层侧墙，多晶硅栅极上方覆盖金属硅化物，但是在源漏区域不形成金属硅化物。所述的双侧侧墙高度高于金属硅化物。本发明专利技术通过在多晶硅栅极之上形成金属硅化物，降低栅极的方块电阻，提高器件的工作频率，同时在源漏区域不形成金属硅化物，有利于缩小器件的横向尺寸。本发明专利技术还公开了所述MOS器件的工艺方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别是指MOS器件，本专利技术还涉及所述MOS器件结构的工艺方法。
技术介绍
目前半导体制造技术中常用的MOS结构如图1所示，图中1为硅衬底，2是场氧或STI，3是栅极(图中省略栅氧化层)，5是轻掺杂源漏，6是侧墙，7是源区及漏区，9是金属硅化物，10是接触孔。该器件的横向最小尺寸(从源极接触孔到漏极接触孔)由以下几个参数共同决定：沟道长度+2倍接触孔到多晶硅栅极的距离+接触孔尺寸。在应用到高频大功率器件时，为减小多晶硅栅极的串联电阻和提高器件的工作频率，需要将方块电阻阻值减小到10欧姆以下。而为了防止源漏与栅极短路，栅极与接触孔间要保持一定距离。因此，器件的结构既要防止短路保证器件的可靠性，又要尽可能地缩小器件的横向尺寸，目前的器件其源区及漏区之上覆盖有金属硅化物，接触孔是与金属硅化物相接触将器件的源漏区引出，对缩小器件的横向尺寸不利。缩小器件的横向尺寸，可以从上述几个参数中的一个或几个为出发点。
技术实现思路
本专利技术所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MOS器件，包含衬底及覆盖在衬底之上的多晶硅栅极，衬底中具有场氧，场氧之间具有轻掺杂源漏区，以及MOS器件的源区及漏区，源区及漏区之间为沟道区，多晶硅栅极和栅氧化层覆盖在沟道区之上，接触孔分别与源区及漏区接触将其引出；其特征在于：所述多晶硅栅极两侧具有双层侧墙，多晶硅栅极上方覆盖金属硅化物，源漏区域上不形成金属硅化物，所述的双侧侧墙高度高于金属硅化物。

【技术特征摘要】
1.一种MOS器件，包含衬底及覆盖在衬底之上的多晶硅栅极，衬底中具有场氧，场
氧之间具有轻掺杂源漏区，以及MOS器件的源区及漏区，源区及漏区之间为沟道区，多
晶硅栅极和栅氧化层覆盖在沟道区之上，接触孔分别与源区及漏区接触将其引出；其特
征在于：所述多晶硅栅极两侧具有双层侧墙，多晶硅栅极上方覆盖金属硅化物，源漏区
域上不形成金属硅化物，所述的双侧侧墙高度高于金属硅化物。
2.如权利要求1所述的MOS器件，其特征在于：所述的双层侧墙材质为氮化硅。
3.制造如权利要求1所述的MOS器件的工艺方法，其特征在于：包含如下的步骤：
步骤一，在硅衬底上形成场氧，再依次淀积一层氧化硅、多晶硅及第一层氮化硅；
步骤二，利用氮化硅做硬掩膜定义图形，刻蚀多晶硅形成多晶硅栅极，再进行轻掺
杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁苑，陈瑜，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31