一种台面型二极管的加工工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种台面型二极管的加工工艺，该加工工艺包括以下步骤：扩散片制作完成→次光刻沟槽→一次腐蚀圆形槽台面→二次光刻沟槽→二次腐蚀圆形槽台面→圆形槽台面生长二氧化硅膜及清洗处理→涂覆玻璃粉→烘焙玻璃粉→玻璃钝化→表面腐蚀清洗。该发明专利技术通过按体积比，将硝酸：氢氟酸：冰醋酸＝5：3：1配制成混酸腐蚀液，然后将光刻后硅片放入混酸腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀出各芯片的PN结台面沟槽，将台面结构二极管PN结几何形状腐蚀出成圆形状，圆形具有平缓的弧形表面，可以有最高的击穿电压，有效的提高了器件的击穿电压效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体电子元件
，具体为一种台面型二极管的加工工艺。
技术介绍
台面型二极管，PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。PN结几何形状和半导体表面电场对击穿电压的影响十分显著。由于棱角电场和表面电场对击穿电压的不利影响，高压二极管一般不采用平面结构而常用台面结构。目前，现有的一般台面结构二极管PN结几何形状对提高器件的击穿电压效果较差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种台面型二极管的加工工艺，以解决现有的一般台面结构二极管PN结几何形状对提高器件的击穿电压效果较差的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种台面型二极管的加工工艺，该加工工艺包括以下步骤：扩散片制作完成→次光刻沟槽→一次腐蚀圆形槽台面→二次光刻沟槽→二次腐蚀圆形槽台面→圆形槽台面生长二氧化硅膜及清洗处理→涂覆玻璃粉→烘焙玻璃粉→玻璃钝化→表面腐蚀清洗。S1、将扩散出PN结的硅片根据所需芯片的尺寸规格进行涂胶、前烘、曝光、显影及坚膜的光刻过程，做好光刻圆状图形；S2、按体积比，将硝酸：氢氟酸：冰醋酸＝5：3：1配制成混酸腐蚀液，然后将光刻后硅片放入混酸腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀出各芯片的PN结台面沟槽，保持各芯片间连接而不断离，再进行去胶清洗；S2、配制玻璃浆用溶剂：将乙基纤维素和稀释剂按1g：10ml的比例放在烧杯中加热搅拌溶解，制成玻璃浆用溶剂；S2、配制玻璃浆：将玻璃浆用溶剂和铅系玻璃粉按3ml：5g比例倒入茄形瓶中进行搅拌；S3、将搅拌好的玻璃浆滴到腐蚀出沟槽的硅片表面，用不锈钢勺子在硅片上涂敷，使玻璃浆均匀涂满沟槽内，再用不锈钢刮刀将多余的玻璃浆从硅片表面轻轻刮下，随后将此硅片放入石英舟内；S4、玻璃预烧：推入炉口烘12-18分钟，推入预烧温度为420-480℃，推入预烧时间为25-28分钟，同时烧去光刻胶层；预烧温度调到565～575℃，将装有涂敷好玻璃浆硅片的石英舟放入石英管中预烧，时间为25分钟；S5、擦拭预烧后硅片：将预烧后的硅片表面的玻璃粉擦拭干净，且注意沟槽内玻璃浆不要擦掉；S6、玻璃烧成：对经过表面玻璃粉擦拭的硅片进行玻璃烧成，同时去光刻胶，烧成温度为830-840℃，烧成时间为12-18分钟，降温至500-550℃，时间为30分钟，自然降温至200℃以下即可出炉；S7、按照S5到S8的次序再重新操作一遍；S8、将玻璃钝化后的硅片经清洗、镀镍或镀金合金化后进行划片，制成硅整流器件的芯片。与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：该专利技术通过按体积比，将硝酸：氢氟酸：冰醋酸＝5：3：1配制成混酸腐蚀液，然后将光刻后硅片放入混酸腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀出各芯片的PN结台面沟槽，将台面结构二极管PN结几何形状腐蚀出成圆形状，圆形具有平缓的弧形表面，可以有最高的击穿电压，有效的提高了器件的击穿电压效果。具体实施方式下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所
描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术提供一种技术方案：一种台面型二极管的加工工艺，该加工工艺包括以下步骤：扩散片制作完成→次光刻沟槽→一次腐蚀圆形槽台面→二次光刻沟槽→二次腐蚀圆形槽台面→圆形槽台面生长二氧化硅膜及清洗处理→涂覆玻璃粉→烘焙玻璃粉→玻璃钝化→表面腐蚀清洗，圆形槽台面生长二氧化硅膜的厚度为1.5-2纳米。S1、将扩散出PN结的硅片根据所需芯片的尺寸规格进行涂胶、前烘、曝光、显影及坚膜的光刻过程，做好光刻圆状图形；S2、按体积比，将硝酸：氢氟酸：冰醋酸＝5：3：1配制成混酸腐蚀液，然后将光刻后硅片放入混酸腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀出各芯片的PN结台面沟槽，保持各芯片间连接而不断离，再进行去胶清洗；S2、配制玻璃浆用溶剂：将乙基纤维素和稀释剂按1g：10ml的比例放在烧杯中加热搅拌溶解，制成玻璃浆用溶剂；S2、配制玻璃浆：将玻璃浆用溶剂和铅系玻璃粉按3ml：5g比例倒入茄形瓶中进行搅拌；S3、将搅拌好的玻璃浆滴到腐蚀出沟槽的硅片表面，用不锈钢勺子在硅片上涂敷，使玻璃浆均匀涂满沟槽内，再用不锈钢刮刀将多余的玻璃浆从硅片表面轻轻刮下，随后将此硅片放入石英舟内；S4、玻璃预烧：推入炉口烘12-18分钟，推入预烧温度为420-480℃，推入预烧时间为25-28分钟，同时烧去光刻胶层；预烧温度调到565～575℃，将装有涂敷好玻璃浆硅片的石英舟放入石英管中预烧，时间为25分钟；S5、擦拭预烧后硅片：将预烧后的硅片表面的玻璃粉擦拭干净，且注意
沟槽内玻璃浆不要擦掉；S6、玻璃烧成：对经过表面玻璃粉擦拭的硅片进行玻璃烧成，同时去光刻胶，烧成温度为830-840℃，烧成时间为12-18分钟，降温至500-550℃，时间为30分钟，自然降温至200℃以下即可出炉；S7、按照S5到S8的次序再重新操作一遍；S8、将玻璃钝化后的硅片经清洗、镀镍或镀金合金化后进行划片，制成硅整流器件的芯片。尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种台面型二极管的加工工艺，其特征在于：该加工工艺包括以下步骤：扩散片制作完成→次光刻沟槽→一次腐蚀圆形槽台面→二次光刻沟槽→二次腐蚀圆形槽台面→圆形槽台面生长二氧化硅膜及清洗处理→涂覆玻璃粉→烘焙玻璃粉→玻璃钝化→表面腐蚀清洗。S1、将扩散出PN结的硅片根据所需芯片的尺寸规格进行涂胶、前烘、曝光、显影及坚膜的光刻过程，做好光刻圆状图形；S2、按体积比，将硝酸：氢氟酸：冰醋酸＝5：3：1配制成混酸腐蚀液，然后将光刻后硅片放入混酸腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀出各芯片的PN结台面沟槽，保持各芯片间连接而不断离，再进行去胶清洗；S2、配制玻璃浆用溶剂：将乙基纤维素和稀释剂按1g：10ml的比例放在烧杯中加热搅拌溶解，制成玻璃浆用溶剂；S2、配制玻璃浆：将玻璃浆用溶剂和铅系玻璃粉按3ml：5g比例倒入茄形瓶中进行搅拌；S3、将搅拌好的玻璃浆滴到腐蚀出沟槽的硅片表面，用不锈钢勺子在硅片上涂敷，使玻璃浆均匀涂满沟槽内，再用不锈钢刮刀将多余的玻璃浆从硅片表面轻轻刮下，随后将此硅片放入石英舟内；S4、玻璃预烧：推入炉口烘12‑18分钟，推入预烧温度为420‑480℃，推入预烧时间为25‑28分钟，同时烧去光刻胶层；预烧温度调到565～575℃，将装有涂敷好玻璃浆硅片的石英舟放入石英管中预烧，时间为25分钟；S5、擦拭预烧后硅片：将预烧后的硅片表面的玻璃粉擦拭干净，且注意沟槽内玻璃浆不要擦掉；S6、玻璃烧成：对经过表面玻璃粉擦拭的硅片进行玻璃烧成，同时去光刻胶，烧成温度为830‑840℃，烧成时间为12‑18分钟，降温至500‑550℃，时间为30分钟，自然降温至200℃以下即可出炉；S7、按照S5到S8的次序再重新操作一遍；S8、将玻璃钝化后的硅片经清洗、镀镍或镀金合金化后进行划片，制成硅整流器件的芯片。...

【技术特征摘要】
1.一种台面型二极管的加工工艺，其特征在于：该加工工艺包括以下步骤：扩散片制作完成→次光刻沟槽→一次腐蚀圆形槽台面→二次光刻沟槽→二次腐蚀圆形槽台面→圆形槽台面生长二氧化硅膜及清洗处理→涂覆玻璃粉→烘焙玻璃粉→玻璃钝化→表面腐蚀清洗。S1、将扩散出PN结的硅片根据所需芯片的尺寸规格进行涂胶、前烘、曝光、显影及坚膜的光刻过程，做好光刻圆状图形；S2、按体积比，将硝酸：氢氟酸：冰醋酸＝5：3：1配制成混酸腐蚀液，然后将光刻后硅片放入混酸腐蚀液中进行腐蚀，腐蚀出各芯片的PN结台面沟槽，保持各芯片间连接而不断离，再进行去胶清洗；S2、配制玻璃浆用溶剂：将乙基纤维素和稀释剂按1g：10ml的比例放在烧杯中加热搅拌溶解，制成玻璃浆用溶剂；S2、配制玻璃浆：将玻璃浆用溶剂和铅系玻璃粉按3ml：5g比例倒入茄形瓶中进行搅拌；S3、将搅拌好的玻璃浆滴到腐蚀出沟槽的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王志敏，
申请(专利权)人：如皋市大昌电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32