高压半导体器件及其制备方法技术
【技术实现步骤摘要】
高压半导体器件及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种高压半导体器件及其制备方法。
技术介绍
现有的高压NPN半导体器件如图1所示，包括：半导体衬底10，所述半导体10内设有多个间隔分布的隔离结构11；N型高压阱区12，所述N型高压阱区12位于所述半导体衬底10内；发射极区，所述发射极区位于所述N型高压阱区12内，包括N型发射极引出区14及位于所述N型发射极引出区14下方的P型扩散区13；基极区，所述基极区位于所述N型高压阱区12内，包括P型基极引出区15及位于所述P型基极引出区15下方的P型扩散区13；所述P型基极引出区15与所述N型发射极引出区14经由所述隔离结构11相隔离，且位于所述P型基极引出区15下方的P型扩散区13与位于所述N型发射极引出区14下方的所述P型扩散区13经由所述隔离结构11的底部相连接；集电极区，所述集电极区位于所述P型基极引出区15远离所述N型发射极引出区14一侧的所述N型高压阱区12内，且与所述P型基极引出区15经由所述隔离结构11相隔离；所述集电极区包括N型集电极引出区16及位于所述N型集电极引出区16下方的所述N...
【技术保护点】
一种高压半导体器件，其特征在于，所述高压半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体内设有多个间隔分布的隔离结构；第一导电型高压阱区，位于所述半导体衬底内，所述第一导电型高压阱区的深度大于所述隔离结构的深度；发射极区，位于所述第一导电型高压阱区内，包括第一导电型发射极引出区及位于所述第一导电型发射极引出区下方的第二导电型第一扩散区；基极区，位于所述第一导电型高压阱区内，包括第二导电型基极引出区及位于所述第二导电型基极引出区下方的第二导电型第一扩散区；所述第二导电型基极引出区与所述第一导电型发射极引出区经由所述隔离结构相隔离，且位于所述第二导电型基极引出区下方的第二导电型第一扩散区...
【技术特征摘要】
1.一种高压半导体器件，其特征在于，所述高压半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体内设有多个间隔分布的隔离结构；第一导电型高压阱区，位于所述半导体衬底内，所述第一导电型高压阱区的深度大于所述隔离结构的深度；发射极区，位于所述第一导电型高压阱区内，包括第一导电型发射极引出区及位于所述第一导电型发射极引出区下方的第二导电型第一扩散区；基极区，位于所述第一导电型高压阱区内，包括第二导电型基极引出区及位于所述第二导电型基极引出区下方的第二导电型第一扩散区；所述第二导电型基极引出区与所述第一导电型发射极引出区经由所述隔离结构相隔离，且位于所述第二导电型基极引出区下方的第二导电型第一扩散区与位于所述第一导电型发射极引出区下方的第二导电型第一扩散区经由所述隔离结构的底部相连接；第二导电型第二扩散区，位于所述第一导电型高压阱区内，且与所述第二导电型第一扩散区经由所述隔离结构相隔离；集电极区，位于所述第二导电型第二扩散区远离所述第二导电型第一扩散区一侧的所述第一导电型高压阱区内，且与所述第二导电型第二扩散区经由所述隔离结构相隔离；所述集电极区包括第一导电型集电极引出区及位于所述第一导电型集电极引出区下方的所述第一导电型高压阱区。2.根据权利要求1所述的高压半导体器件，其特征在于：所述第二导电型第二扩散区内还设有第二导电型的电极引出区。3.根据权利要求2所述的高压半导体器件，其特征在于：所述高压半导体器件还包括与所述第一导电型发射极引出区相连接的发射电极、与所述第二导电型基极引出区相连接的基电极、与所述第二导电型的电极引出区相连接的接地电极及与所述第一导电型集电极引出区相连接的集电极，所述发射电极、所述基电极、所述接地电极及所述集电极均位于所述半导体衬底的表面。4.根据权利要求2所述的高压半导体器件，其特征在于：所述第一导电型高压阱区、所述第二导电型第一扩散区及所述第二导电型第二扩散区均为轻掺杂区；所述第一导电型发射极引出区、所述第二导电型基极引出区、所述第二导电型的电极引出区及所述第一导电型集电极引出区均为重掺杂区。5.根据权利要求1至4中任一项所述的高压半导体器件，其特征在于：所述第一导电型为N型，所述第二导电型为P型。6.根据权利要求1至4中任一项所...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴健，张焕云，郑芳芳，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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