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本发明提供一种高压半导体器件及其制备方法，所述高压半导体器件包括：半导体衬底、第一导电型高压阱区、发射极区、基极区、第二导电型第二扩散区及集电极区。本发明通过在集电极区与基极区之间增加一与所述基极区掺杂类型相同的第二导电型第二扩散区，在高压...该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。