RC-IGBT器件的背面结构制备方法技术

本发明专利技术涉及一种RC‑IGBT器件的背面结构制备方法，其包括如下步骤：步骤1、提供制备有正面元胞结构的RC‑IGBT晶圆；步骤2、进行P型杂质离子注入；步骤3、激活注入到RC‑IGBT晶圆背面的P型杂质离子；步骤4、向上述RC‑IGBT晶圆背面注入N型杂质离子；步骤5、将激活基片键合在上述RC‑IGBT晶圆的背面；步骤6、在RC‑IGBT晶圆背面形成所需图形化分布的P型掺杂区域与N型掺杂区域；步骤7、将激活基片与RC‑IGBT晶圆的背面分离，并对上述RC‑IGBT晶圆的背面金属化。本发明专利技术工艺步骤简单，能够省去RC‑IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序，有效缩短RC‑IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本，与现有工艺兼容，安全可靠。

The structure of RC IGBT device preparation method

【技术实现步骤摘要】
RC-IGBT器件的背面结构制备方法
本专利技术涉及一种制备方法，尤其是一种RC-IGBT器件的背面结构制备方法，属于微电子的

技术介绍
RC-IGBT器件背面含有图形化分布的P型掺杂和N型掺杂交错的区域。为了能在RC-IGBT器件的背面形成图形化分布的P型掺杂区域与N型掺杂区域，目前采用的主要方式包括对P型杂质进行整体注入，N型杂质进行图形化注入，其中，N型杂志浓度远大于P型杂质，然后通过激活杂质形成P型掺杂和N型掺杂交错的图形。现有技术中，对RC-IGBT器件的背面加工方法包括如下步骤：1)、将完成正面加工的RC-IGBT晶圆翻转，并对RC-IGBT晶圆的背面进行减薄；2)、背面P型杂质注入；3)、背面涂敷光刻胶；4)、使用背面N型注入光刻版对进行曝光；5)、光刻胶显影形成N型掺杂的注入阻挡层；6)、背面N型杂质注入(N型杂质的注入剂量远大于P型杂质)；7)、去除剩余光刻胶；8)、高温或激光激活P型和N型杂质；9)、背面金属化。因此，现有技术中需要对RC-IGBT晶圆背面进行光刻加工工序，导致晶圆背面光刻加工工序成本高、生产周期长，不利于RC-IGBT进一步发展。专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种RC‑IGBT器件的背面结构制备方法，其特征是，所述背面结构的制备方法包括如下步骤：步骤1、提供制备有正面元胞结构的RC‑IGBT晶圆，并将所述RC‑IGBT晶圆的背面减薄至所需的厚度；步骤2、对上述减薄后RC‑IGBT晶圆背面进行P型杂质离子注入；步骤3、利用激光激活方式激活注入到RC‑IGBT晶圆背面的P型杂质离子；步骤4、向上述RC‑IGBT晶圆背面注入N型杂质离子，其中，N型杂质离子的注入剂量大于P型杂质离子的注入剂量；步骤5、提供具有激活图形的激活基片，并将所述激活基片键合在上述RC‑IGBT晶圆的背面；步骤6、利用上述激活基片的激活图形对注入到RC‑IGBT晶圆背面的N型杂质离...

【技术特征摘要】
1.一种RC-IGBT器件的背面结构制备方法，其特征是，所述背面结构的制备方法包括如下步骤：步骤1、提供制备有正面元胞结构的RC-IGBT晶圆，并将所述RC-IGBT晶圆的背面减薄至所需的厚度；步骤2、对上述减薄后RC-IGBT晶圆背面进行P型杂质离子注入；步骤3、利用激光激活方式激活注入到RC-IGBT晶圆背面的P型杂质离子；步骤4、向上述RC-IGBT晶圆背面注入N型杂质离子，其中，N型杂质离子的注入剂量大于P型杂质离子的注入剂量；步骤5、提供具有激活图形的激活基片，并将所述激活基片键合在上述RC-IGBT晶圆的背面；步骤6、利用上述激活基片的激活图形对注入到RC-IGBT晶圆背面的N型杂质离子进行激活，以在RC-IGBT晶圆背面形成所需图形化分布的P型掺杂区域与N型掺杂区域；步骤7、将激活基片与RC-IGBT晶圆的背面分离，并对上述RC-IGBT晶圆的背面金属化，以得到与P型掺杂区域、N型掺杂区域欧姆接触的集电极金属。2.根据权利要求1所述的RC-IGBT器件的背面结构制备方法，其特征是：步骤1中，对RC-IGBT晶圆背面减薄的过程包括利用机械研磨减薄以及化学腐蚀减薄。3.根据权利要求1所述的RC-IGBT器件的背面结构制备方法，其特征是：所述激活基片的形状与RC-IGBT晶圆相一致，激活图形贯通激活基片，进行激活的激光能通过激活图形激活RC-IGBT晶圆背面相应的N型杂质离子。4.根据权利要求3所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金锐，许生根，杨晓鸾，姜梅，董少华，崔磊，
申请(专利权)人：全球能源互联网研究院，江苏中科君芯科技有限公司，国家电网公司，国网浙江省电力公司，
类型：发明
国别省市：北京,11