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本发明涉及一种RC‑IGBT器件的背面结构制备方法，其包括如下步骤：步骤1、提供制备有正面元胞结构的RC‑IGBT晶圆；步骤2、进行P型杂质离子注入；步骤3、激活注入到RC‑IGBT晶圆背面的P型杂质离子；步骤4、向上述RC‑IGBT晶圆背...该专利属于全球能源互联网研究院;江苏中科君芯科技有限公司;国家电网公司;国网浙江省电力公司所有，仅供学习研究参考，未经过全球能源互联网研究院;江苏中科君芯科技有限公司;国家电网公司;国网浙江省电力公司授权不得商用。