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本发明提供了半导体器件及其制备方法。所述方法包括提供半导体衬底，通过形成有开口的硬掩膜层在所述半导体衬底上形成沟槽，所述沟槽的宽度与所述开口的宽度一致，所述开口与所述沟槽上下呈1字形；横向刻蚀所述硬掩膜层，以扩大所述开口的横向尺寸，所述开口...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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