制造用于射频器件的衬底的工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种制造用于射频器件的衬底(7)的工艺，其通过借助于电绝缘层将压电层(3)组装在载体衬底(1)上来制造用于射频器件的衬底(7)，所述压电层(3)在与电绝缘层的界面处具有粗糙的表面(30)，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：‑提供压电衬底(3)，其具有用于反射射频波的粗糙表面(30)，‑在压电衬底(3)的粗糙表面(30)上沉积介电层(4)，‑提供载体衬底(1)，‑在载体衬底上沉积光聚合性粘合剂层(2)，‑借助于介电层(4)和粘合剂层(2)将压电衬底(3)粘接至载体衬底(1)，从而形成组装的衬底(5)，‑用光束(6)照射组装的衬底(5)以使粘合剂层(2)聚合，所述粘合剂层(2)和介电层(4)一起形成电绝缘层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造用于射频器件的衬底的工艺
本专利技术涉及一种制造用于射频器件的衬底的工艺。
技术介绍
已知的做法是在衬底上制造射频(RF)器件(例如谐振器或滤波器)，所述衬底从其底部至其表面依次包括通常由半导体材料(例如硅)制成的载体衬底、电绝缘层和压电层。表面声波(SAW)滤波器通常包括厚的压电层(即，厚度通常为几十μm)和两个电极，所述两个电极以两个叉指金属梳的形式沉积在所述压电层的表面上。施加至电极的电信号(通常为电压变化)被转换为在压电层的表面传播的弹性波。如果波的频率与滤波器的频带相对应，则会促进该弹性波的传播。当该波到达另一个电极时，它再次被转换为电信号。然而，存在波的寄生传播模式，所述波在压电层的厚度中延伸，并且易于在与下面载体衬底的界面处被反射。此效果称为“揺响(rattle)”。为了避免这些寄生模式，已知的做法是使位于与电绝缘层的界面处的压电层的表面足够粗糙，以允许寄生波在所有方向上反射(散射效应)，并防止其传送至衬底中。考虑到所涉及的波长，压电层表面的粗糙度非常高，约为几微米。制造衬底需要将压电层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造用于射频器件的衬底(7)的工艺，其通过经由电绝缘层将压电层(3)接合至载体衬底(1)来制造用于射频器件的衬底(7)，所述压电层(3)在与电绝缘层的界面处具有粗糙表面(30)，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：/n-提供压电衬底(3)，其具有适于反射射频波的粗糙表面(30)，/n-在压电衬底(3)的粗糙表面(30)上沉积介电层(4)，/n-提供载体衬底(1)，/n-在载体衬底上沉积光聚合性粘合剂层(2)，/n-通过介电层(4)和粘合剂层(2)将压电衬底(3)结合至载体衬底(1)，从而形成组装的衬底(5)，/n-用光束(6)照射组装的衬底(5)以使粘合剂层(2)聚合，所述粘合剂层(2)...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180326 FR 18525741.一种制造用于射频器件的衬底(7)的工艺，其通过经由电绝缘层将压电层(3)接合至载体衬底(1)来制造用于射频器件的衬底(7)，所述压电层(3)在与电绝缘层的界面处具有粗糙表面(30)，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：
-提供压电衬底(3)，其具有适于反射射频波的粗糙表面(30)，
-在压电衬底(3)的粗糙表面(30)上沉积介电层(4)，
-提供载体衬底(1)，
-在载体衬底上沉积光聚合性粘合剂层(2)，
-通过介电层(4)和粘合剂层(2)将压电衬底(3)结合至载体衬底(1)，从而形成组装的衬底(5)，
-用光束(6)照射组装的衬底(5)以使粘合剂层(2)聚合，所述粘合剂层(2)和介电层(4)一起形成电绝缘层。


2.根据权利要求1所述的工艺，其中，所述介电层(4)包括通过等离子体增强化学气相沉积而沉积在压电衬底(3)上的氧化硅层、氮化硅层、包含氮化硅和氧化硅的组合的层，和/或至少一个氧化硅层和一个氮化硅层的叠加。


3.根据权利要求1所述的工艺，其中，所述介电层(4)是通过旋涂而沉积在压电衬底(3)上的玻璃层。


4.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中，光聚合性粘合剂层(2)的厚度介于2μm至8μm之间。


5.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中，通过旋涂沉积光聚合性粘合剂层(2)。


6.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中，结合步骤在介于20℃至50℃之间，优选介于20℃至30℃之间的温度下进行。


7.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中，穿过压电衬底(3)施加光束(6)。


8.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中，照射是脉冲照射。

【专利技术属性】
技术研发人员：D·贝拉什米，T·巴尔热，
申请(专利权)人：SOITEC公司，
类型：发明
国别省市：法国;FR