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本发明涉及一种制造用于射频器件的衬底(7)的工艺，其通过借助于电绝缘层将压电层(3)组装在载体衬底(1)上来制造用于射频器件的衬底(7)，所述压电层(3)在与电绝缘层的界面处具有粗糙的表面(30)，其特征在于，所述工艺包括以下步骤：‑提供压...
该专利属于SOITEC公司所有，仅供学习研究参考，未经过SOITEC公司授权不得商用。

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