光敏化合物梯度光刻胶制造技术

本发明专利技术提供了用于在半导体衬底的上方形成光刻胶的系统和方法。一个实施例包括具有浓度梯度的光刻胶。可通过使用一系列干膜光刻胶来形成浓度梯度，其中，每个独立的干膜光刻胶均具有不同浓度。各个干膜光刻胶可以独立形成，然后在图样化之前被放置到半导体衬底上。一旦被图样化，穿过光刻胶的开口可具有楔形侧壁，从而允许晶种层更好的覆盖和更均匀的工艺来形成穿过光刻胶的导电材料。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，更具体地，涉及光敏化合物梯度光刻胶。
技术介绍
通常，通过首先在晶片或管芯的上方涂覆光刻胶来对诸如堆叠封装(POP)的封装内的晶片或管芯制造电接触。然后，光刻胶可以被平面化以露出晶片或管芯期望制造接触的部分。可以通过将光刻胶暴露给诸如光的辐射来执行图样化，以激活可组成光刻胶的一种成分的光敏化合物。然后，正显影剂或负显影剂可用于去除露出的光刻胶(适用于负显影齐IJ)或者去除未露出的光刻胶(适用于正显影剂)。一旦光刻胶被显影和图样化，就可以通过在图样化的光刻胶中形成导电材料以制造电连接，以形成针对露出的晶片或管芯的电连接。导电材料可以通过首先在光刻胶的上 方并沿着图样化光刻胶的侧壁涂覆晶种层来形成。然后，可以在电镀工艺中使用晶种层以将导电材料电镀到图样化光刻胶的上方及其中，从而向下面的晶片或管芯提供期望的电连接。然而，由于晶种层被用于形成导电材料，所以如果发生关于晶种层的阶梯覆盖的间隙或其他问题，则会产生问题。如果执行溅射来形成晶种层且光刻胶具有垂直侧壁，则尤其沿着光刻胶的侧壁普遍存在这些阶梯。这件间隙又会引起间隙、不平坦电镀或其他问题的发生，同时晶种层被用作用于导电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：衬底；以及光刻胶，位于所述衬底的上方，所述光刻胶包括光敏化合物，所述光敏化合物随着所述光刻胶远离所述衬底延伸而具有浓度梯度。

【技术特征摘要】
2011.07.27 US 13/192,1131.一种半导体器件，包括 衬底；以及 光刻胶，位于所述衬底的上方，所述光刻胶包括光敏化合物，所述光敏化合物随着所述光刻胶远离所述衬底延伸而具有浓度梯度。2.根据权利要求I所述的半导体器件，其中，所述衬底进一步包括 第一半导体衬底；以及 管芯，位于所述第一半导体衬底的上方。3.根据权利要求I所述的半导体器件，其中，所述光刻胶进一步包括 第一光刻胶层，具有第一浓度的光敏化合物；以及 第二光刻胶层，具有第二浓度的光敏化合物，所述第二浓度小于所述第一浓度。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一浓度是达到预期临界程度的浓度。5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述光刻胶进一步包括 第三光刻胶层，具有第三浓度的光敏化合物，所述第三浓度小于所述第二浓度；以及 第四光刻胶层，具有第四浓度的光敏化合物，所述第四浓度小于所述第三浓度。6.根据权利要求I所述的半导体器件，其中，所述浓度梯度随着所述光刻胶远离所述衬底延伸而具有...

【专利技术属性】
技术研发人员：余振华，刘重希，郭宏瑞，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：