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本发明提出一种阻断半导体差排缺陷的方法。首先，外延一半导体层于一衬底上，并在半导体层上差排缺陷所造成的结构脆弱处蚀刻出凹洞。之后，在每一个凹洞上形成一阻断层。随后，再外延上述的半导体层，使半导体层侧向成长，导致差排缺陷转向。本发明可以在外延...
该专利属于先进开发光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进开发光电股份有限公司授权不得商用。

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