一种沟槽金属－氧化物半导体及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种沟槽金属－氧化物半导体,包括：栅极沟槽，所述栅极沟槽的底部及侧壁上淀设有栅氧化物层，且栅极沟槽槽壁下半部及底部的栅氧化物层的厚度相同且厚于栅极沟槽顶部的栅氧化物层。本发明专利技术的优点是：沟槽的形成只通过一步刻蚀完成，只刻蚀一次外延层，光刻时通过调节光源能量，采用光刻胶半曝光的方法在沟槽内生成厚度不同的氧化层，简化了传统制备方法中采用复合阻挡层然后通过两次刻蚀形成沟槽的方法，简化了工艺步骤，提高了制备效率。

Trench metal oxide semiconductor and preparation method thereof

The invention discloses a groove metal oxide semiconductor, including: gate trench, bottom and side wall of the gate trench on the lake is provided with a gate oxide layer, a gate oxide layer and a gate oxide layer and the bottom part of the gate trench wall under the same thickness and thickness on the top of the gate trench. The invention has the advantages that the trench formation done only through a step etching, etching only one epitaxial layer, lithography by adjusting the light energy, using the method of photoresist exposure generated half oxide thickness in different groove, simplified the traditional preparation method of the composite barrier layer and then forming a trench methods the two etching process is greatly simplified, improve the preparation efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽金属－氧化物半导体及其制备方法
本专利技术涉及一种半导体，更确切地说是一种沟槽金属－氧化物半导体。
技术介绍
随着功率MOS器件工艺和设计的不断成熟，国内外功率MOS器件的竞争也越来越激烈，降低器件的成本、提高器件的性能及可靠性也越来越迫切。在不影响器件性能的前提下，减少器件制造工艺中的光刻次数是降低器件成本的一个重要手段；而在不提升器件成品的前提下,提升器件的性能，又是一个提升产品竞争力的重要手段。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种沟槽金属－氧化物半导体，其可以在不提升器件成品的前提下,提升器件的性能。本专利技术采用以下技术方案：一种沟槽金属－氧化物半导体，包括：栅极沟槽，所述栅极沟槽的底部及侧壁上淀设有栅氧化物层，且栅极沟槽槽壁下半部及底部的栅氧化物层的厚度相同且厚于栅极沟槽顶部的栅氧化物层。还包括多晶硅层，且多晶硅层将栅极沟槽淀设满。所述栅极沟槽设于N-型外延层内，N-型外延层的一侧淀设有N型基片。还包括：源极沟槽，源极沟槽设于N-型外延层内；源极沟槽的底部及侧壁上淀设有栅氧化物层，源极沟槽通过多晶硅淀设满，且源极沟槽与相邻栅极沟槽之间的N-型外延层的上方淀设有与源本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沟槽金属－氧化物半导体,其特征在于，包括：栅极沟槽，所述栅极沟槽的底部及侧壁上淀设有栅氧化物层，且栅极沟槽槽壁下半部及底部的栅氧化物层的厚度相同且厚于栅极沟槽顶部的栅氧化物层。

【技术特征摘要】
1.一种沟槽金属－氧化物半导体,其特征在于，包括：栅极沟槽，所述栅极沟槽的底部及侧壁上淀设有栅氧化物层，且栅极沟槽槽壁下半部及底部的栅氧化物层的厚度相同且厚于栅极沟槽顶部的栅氧化物层。2.根据权利要求1所述的沟槽金属－氧化物半导体,其特征在于，还包括多晶硅层，且多晶硅层将栅极沟槽淀设满。3.根据权利要求1或2所述的沟槽金属－氧化物半导体,其特征在于，所述栅极沟槽设于N-型外延层内，N-型外延层的一侧淀设有N型基片。4.根据权利要求3所述的沟槽金属－氧化物半导体,其特征在于，还包括：源极沟槽，源极沟槽设于N-型外延层内；源极沟槽的底部及侧壁上淀设有栅氧化物层，源极沟槽通过多晶硅淀设满，且源极沟槽与相邻栅极沟槽之间的N-型外延层的上方淀设有与源极沟槽的底部同等厚度的栅氧化物层。5.根据权利要求4所述的沟槽金属－氧化物半导体,其特征在于，N-型外延层的顶部源极沟槽及栅极沟槽之间通过杂质注入形成沟道注入层，沟道注入层内部设有通过源区注入及杂质激活形成的源区注入层。6.根据权利要求1所述的沟槽金属－氧化物半导体,其特征在于，栅极沟槽两侧设有接触孔，源极沟槽内部的多晶硅层内设有接触孔，接触孔的底部设于沟道注入层且穿过源区注入层，接触孔内淀积第一金属，且第一金属上方淀设第二金属，第二金属层与栅氧化物层之间淀设有介质层。7.一种制备如权利要求1至6中任意一项所述的沟槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：高盼盼，代萌，李承杰，
申请(专利权)人：上海格瑞宝电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31