低栅漏电容的纵向场效应晶体管及其制造方法技术
Low field drain capacitor longitudinal field effect transistor and method of manufacturing the same
The invention relates to a vertical field effect transistor with a low gate drain capacitor and a manufacturing method thereof, belonging to the field of semiconductor technology. In this method, because of the thick gate oxide area the first at the top of the substrate to form protruding from the top of the substrate, and above the thick gate oxide region is formed as the gate polysilicon, thus using the thick gate oxide increases the gate drain capacitance dielectric layer thickness, can also further reduce the gate and drain cover the area of the region, reducing the gate drain capacitance, reduce switching loss and improve the performance of vertical field effect transistor, field effect transistor and the low gate drain capacitance of the invention is more suitable for high frequency applications, vertical field effect transistor structure and the low gate drain capacitance of the simple, convenient manufacturing method, production and application of cost the relatively low.
【技术实现步骤摘要】
低栅漏电容的纵向场效应晶体管及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及场效应晶体管
，具体是指一种低栅漏电容的纵向场效应晶体管及其制造方法。
技术介绍
随着电子信息技术的迅速发展，特别是像时尚消费电子和便携式产品的快速发展，金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等功率器件的需求量越来越大。MOSFET主要分为横向和纵向两种，横向MOSFET优势在于其具有较好的集成性，可以更容易地集成到现有技术的工艺平台上。但由于其耐压的漂移区在表面展开，则暴露了其最大的不足，占用的面积较大，耐压越高的器件，劣势越明显。而纵向MOSFET很好的避免了这一问题，因此，超高压的分立器件仍然以纵向MOSFET为主。如图1所示为典型的纵向MOSFET的结构示意图，这种将承受耐压的漏源两极分别设置在器件的上下两端，使电流在器件内部垂直流通，增加了电流密度改善了导通电阻特性。一个完整的分立器件MOSFET，如图2所示，通常包含元胞区和终端区。图2仅表示了部分终端结构和一个最小元胞单元，虚线部分代表元胞的重复。元胞区是器件的核心，元胞区是由多个最小单元重复而成，每个最小元胞单元的源极与源极相连，栅极与栅极相连；而好的终端区设计可以起到对元胞区的保护作用，同时可以改善元胞区的导通和耐压均匀性。工作损耗是功率器件最重要的性能参数之一，工作损耗包括导通损耗、截止损耗和开关损耗三部分。其中，导通损耗由导通电阻决定，截止损耗取决于反向漏电流大小，开关损耗是指功率器件在导通和关断的过程中寄生电容充放电带来的损耗。为了满足功率器件适应高频应用的需求，降低功率器件的开关损耗具有深远...
【技术保护点】
一种低栅漏电容的纵向场效应晶体管，包括：衬底，作为漏极；P‑体区，形成于所述的衬底顶部的一部分；N+注入区，作为源极，形成于所述的P‑体区顶部的一部分；多晶硅，作为栅极，形成于所述的衬底顶部的另一部分与所述的P‑体区顶部的另一部分之上；其特征在于，还包括：厚栅氧区，形成于所述的多晶硅与所述的衬底之间。
【技术特征摘要】
1.一种低栅漏电容的纵向场效应晶体管，包括：衬底，作为漏极；P-体区，形成于所述的衬底顶部的一部分；N+注入区，作为源极，形成于所述的P-体区顶部的一部分；多晶硅，作为栅极，形成于所述的衬底顶部的另一部分与所述的P-体区顶部的另一部分之上；其特征在于，还包括：厚栅氧区，形成于所述的多晶硅与所述的衬底之间。2.根据权利要求1所述的低栅漏电容的纵向场效应晶体管，其特征在于，所述的厚栅氧区为热氧化层或浅槽隔离层。3.根据权利要求1所述的低栅漏电容的纵向场效应晶体管，其特征在于，还包括：P+注入区，作为体区引出端，形成于所述的P-体区顶部。4.根据权利要求3所述的低栅漏电容的纵向场效应晶体管，其特征在于，所述的多晶硅覆盖于所述的P-体区顶部未设置N+注入区和P+注入区的部分以及所述的厚栅氧区的顶部。5.一种低栅漏电容的纵向场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(A)在作为漏极的衬底的顶部的一部分形成有源区和厚栅氧区；(B)在所述厚栅氧区顶部及所述衬底顶部的一部分之上形成多晶硅作为栅极；(C)在衬底顶部未被多晶硅覆盖...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡欣，
申请(专利权)人：上海矽望电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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