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本发明涉及一种采用了该发明的低栅漏电容的纵向场效应晶体管及其制造方法，属于半导体技术领域。在该方法中，由于其首先在衬底的顶部形成凸出于衬底顶部的厚栅氧区，并在该厚栅氧区之上形成作为栅极的多晶硅，从而利用该厚栅氧增加了栅漏电容介质层的厚度，同...
该专利属于上海矽望电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海矽望电子科技有限公司授权不得商用。

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