一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置制造方法及图纸

本申请实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，用以使得有源层与薄膜晶体管中的源极金属层和漏极金属层通过欧姆接触层连接，从而降低有源层与源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触电阻，提高薄膜晶体管中有源层与源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触效果，进而可以提高薄膜晶体管的工作稳定性。本申请实施例提供的一种薄膜晶体管，包括：源极金属层，在源极金属层之上的第一绝缘层，在第一绝缘层之上的漏极金属层；有源层和欧姆接触层，有源层通过欧姆接触层与源极金属层和漏极金属层相连；欧姆接触层包括第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，第一欧姆接触层包括位于第一绝缘层两侧第一部分区域和第二部分区域。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置
本申请涉及通信
，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。
技术介绍
目前高分辨率显示产品成为市场主流趋势，实现液晶显示面板的高分辨率显示，对其像素开口率的要求越来越高，因此缩小薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)的尺寸变得尤为关键。现有技术中，存在一种垂直型TFT结构，可以大大减小TFT的尺寸，如图1所示，该垂直型TFT结构包括：玻璃基板1、缓冲层2、像素层3、源极金属层4、第一绝缘层5、漏极金属层6、氧化物(IGZO)层7、第二绝缘层8以及栅极金属层9，其中氧化物(IGZO)7属于有源层。虽然图1所示的垂直型TFT结构可以大大减小TFT的尺寸，但是该垂直型TFT结构目前仅适用于氧化物TFT，而非晶硅型TFT中非晶硅作为有源层，由于有源层与源极金属层及漏极金属层直接接触，因此非晶硅型TFT的欧姆接触较差，导致非晶硅型TFT的稳定性较差。
技术实现思路
本申请实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，用以使得有源层与薄膜晶体管中的源极金属层和漏极金属层通过欧姆接触层连接，从而降低有源层与源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触电阻，从而提高薄膜晶体管中有源层与源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触效果，进而可以提高薄膜晶体管的工作稳定性。本申请实施例提供的一种薄膜晶体管，包括：源极金属层，在所述源极金属层之上的第一绝缘层，在所述第一绝缘层之上的漏极金属层；所述薄膜晶体管还包括：有源层和欧姆接触层，所述有源层通过所述欧姆接触层与所述源极金属层和所述漏极金属层相连；其中，所述欧姆接触层包括第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，所述第一欧姆接触层包括位于所述第一绝缘层两侧第一部分区域和第二部分区域。本申请实施例提供的薄膜晶体管，通过设置欧姆接触层，使得源极层通过欧姆接触层与所述源极金属层和所述漏极金属层连接，即所述有源层不与所述源极金属层和所述漏极金属层直接接触，从而降低有源层与薄膜晶体管中的源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触电阻，提高有源层与所述源极金属层和所述漏极金属层之间的欧姆接触效果，进而可以提高垂直型非晶硅薄膜晶体管的工作稳定性。较佳地，所述第二欧姆接触层位于所述第一绝缘层与所述漏极金属层之间。较佳地，所述有源层包括分别位于所述第一绝缘层两侧的第一部分有源层和第二部分有源层，第一部分有源层位于第一欧姆接触层的第一部分区域与第二欧姆接触层之间，第二部分有源层位于第一欧姆接触层的第二部分区域与第二欧姆接触层之间。较佳地，所述有源层包括非晶硅，和/或所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层包括电子型掺杂非晶硅。较佳地，所述薄膜晶体管还包括：位于所述有源层之上的第二绝缘层；位于所述第二绝缘层之上的栅极金属层。本申请实施例提供的一种阵列基板，包括本申请实施例提供的薄膜晶体管。本申请实施例提供的一种显示装置，包括本申请实施例提供的阵列基板。本申请实施例提供的一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在源极金属层之上设置第一绝缘层；在所述第一绝缘层之上设置漏极金属层；该方法还包括：设置有源层和欧姆接触层，所述有源层通过欧姆接触层与所述源极金属层和所述漏极金属层相连；其中，所述欧姆接触层包括第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，所述第一欧姆接触层包括位于所述第一绝缘层两侧第一部分区域和第二部分区域。较佳地，所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层在同一工艺流程中形成。较佳地，所述有源层在形成所述欧姆接触层和漏极金属层之后形成的。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为现有技术中垂直型氧化物TFT的结构示意图；图2为本申请实施例提供的第一种薄膜晶体管的结构示意图；图3为本申请实施例提供的第二种薄膜晶体管的结构示意图；图4为本申请实施例提供的第三种薄膜晶体管的结构示意图；图5为本申请实施例提供的一种薄膜晶体管制备方法的流程示意图；图6为本申请实施例提供的制备如图4所示的薄膜晶体管的第一种方法的流程示意图；图7为本申请实施例提供的制备如图4所示的薄膜晶体管的第二种方法的流程示意图。具体实施方式本申请实施例提供了一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板、显示装置及制备方法，用以使得有源层与薄膜晶体管中的源极金属层和漏极金属层通过欧姆接触层连接，从而降低有源层与源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触电阻，从而提高薄膜晶体管中有源层与源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触效果，进而可以提高薄膜晶体管的工作稳定性。本申请实施例提供的一种薄膜晶体管，如图2所示，包括：源极金属层4，在所述源极金属层4之上的第一绝缘层5，位于第一绝缘层5之上的漏极金属层6；有源层12和欧姆接触层16，位于有源层12之上的第二绝缘层8，位于第二绝缘层8之上的栅极金属层9，所述有源层12通过欧姆接触层16与所述源极金属层4和所述漏极金属层6相连，所述欧姆接触层16包括第一欧姆接触层10和第二欧姆接触层11，所述第一欧姆接触层10包括位于所述第一绝缘层5两侧第一部分区域17和第二部分区域18。本申请实施例提供的薄膜晶体管，通过设置欧姆接触层，使得源极层通过欧姆接触层与所述源极金属层和所述漏极金属层连接，即所述有源层不与所述源极金属层和所述漏极金属层直接接触，从而降低有源层与源极金属层和漏极金属层之间的欧姆接触电阻，提高有源层与所述源极金属层和所述漏极金属层之间的欧姆接触效果，进而可以提高薄膜晶体管的工作稳定性。在如图2所示的薄膜晶体管中，所述第二欧姆接触层11位于所述第一绝缘层5与所述漏极金属层6之间，即第二欧姆接触层与第一绝缘层在垂直方向上的投影存在重叠部分，所述第二欧姆接触层可以是连续的一整层设置于第一绝缘层与漏极金属层之间，也可以不连续设置于第一绝缘层与漏极金属层之间，如图3所示，该薄膜晶体管中，第二欧姆接触层11分成两部分区域设置于第一绝缘层5和漏极金属层6之间。需要说明的是，第一绝缘层的截面可以是如图2、图3所示的梯形，也可以是矩形，本申请以第一绝缘层的截面为梯形为例进行说明，但实际生产中，可根据需要设置第一绝缘层的形状。在如图2所示的薄膜晶体管中，所述有源层包括分别位于所述第一绝缘层两侧的第一部分有源层19和第二部分有源层20，第一部分有源层19位于第一欧姆接触层10的第一部分区域17与第二欧姆接触层11之间，第二部分有源层20位于第一欧姆接触层10的第二部分区域18与第二欧姆接触层11之间。较佳地，所述有源层包括非晶硅(a-Si)。较佳地，所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层包括电子型掺杂非晶硅(n+a-Si)。以第一部分有源层19和第二部分有源层20全部为a-Si层15、第一欧姆接触层以及第二欧姆接触层为n+a-Si情况为例，本申请实施例提供的薄膜晶体管结构如图4所示，第二n+a-Si层14位于第一绝缘层5和漏极金属层6之间，a-Si层15在第一绝缘层5两侧与第一n+a-Si层13接触和第二n+a-Si层14接触。需要说明的是，本申请实施例提供的如图2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：源极金属层，在所述源极金属层之上的第一绝缘层，在所述第一绝缘层之上的漏极金属层，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：有源层和欧姆接触层，所述有源层通过所述欧姆接触层与所述源极金属层和所述漏极金属层相连；其中，所述欧姆接触层包括第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，所述第一欧姆接触层包括位于所述第一绝缘层两侧第一部分区域和第二部分区域。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括：源极金属层，在所述源极金属层之上的第一绝缘层，在所述第一绝缘层之上的漏极金属层，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：有源层和欧姆接触层，所述有源层通过所述欧姆接触层与所述源极金属层和所述漏极金属层相连；其中，所述欧姆接触层包括第一欧姆接触层和第二欧姆接触层，所述第一欧姆接触层包括位于所述第一绝缘层两侧第一部分区域和第二部分区域。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二欧姆接触层位于所述第一绝缘层与所述漏极金属层之间。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括分别位于所述第一绝缘层两侧的第一部分有源层和第二部分有源层，第一部分有源层位于第一欧姆接触层的第一部分区域与第二欧姆接触层之间，第二部分有源层位于第一欧姆接触层的第二部分区域与第二欧姆接触层之间。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层包括非晶硅，和/或所述第一欧姆接触层和所述第二欧姆接触层包括电子型掺杂非晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：张慧，林允植，严允晟，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11