【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了，涉及集成电路制造工艺领域。该方法为：建立电容测试结构；将所述测试结构放置于监控产品测试位置，在所述电容测试结构的表面沉积掩模层，根据前段工艺进行流片；采用刻蚀工艺对所述电容测试结构进行刻蚀；采用所述电子束检测仪对刻蚀后的所述电容测试结构进行检测，判断所述电容测试结构是否存在桥连，若是则存在缺陷，若否则电容测试结构不存在缺陷。采用该方法能够及时发现在线缺陷，为研发阶段良率提升提供数据参考，缩短研发周期；为产品提供监控手段，缩短影响区间，为产品良率提供保障。【专利说明】
本专利技术涉及集成电路制造工艺领域，尤其涉及多晶硅刻蚀缺陷的检测。
技术介绍
随着集成电路工艺的发展以及关键尺寸按比例缩小，能够在线及时检测到极限尺寸的缺陷对良率提升至关重要，为此半导体制造采用多种检测方法，例如:暗场扫描、亮场扫描和电子束(E-beam)扫描等。然而并非所有缺陷均能被检测到，例如处于极限尺寸的多晶硅栅极刻蚀残留缺陷A就不容易被检测出来，如图1a和图1b所示。其原因在于，该类缺陷的尺寸与厚度超出了光学检测的能力范围，且没有电压衬度的差异，其与背景...
【技术保护点】
采用电容测试结构检测多晶硅栅极刻蚀缺陷的方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤1.建立电容测试结构；步骤2.将所述测试结构放置于电子束检测仪的监控产品测试位置，在所述电容测试结构的表面沉积掩模层，根据前段工艺进行流片；步骤3.采用刻蚀工艺对所述电容测试结构进行刻蚀；步骤4.采用所述电子束检测仪对刻蚀后的所述电容测试结构进行检测，判断所述电容测试结构是否存在桥连，若是则存在缺陷，若否则所述电容测试结构不存在缺陷。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：范荣伟，顾晓芳，龙吟，倪棋梁，陈宏璘，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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