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本发明公开了采用电容测试结构检测多晶硅栅极刻蚀缺陷的方法，涉及集成电路制造工艺领域。该方法为：建立电容测试结构；将所述测试结构放置于监控产品测试位置，在所述电容测试结构的表面沉积掩模层，根据前段工艺进行流片；采用刻蚀工艺对所述电容测试结构进...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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