双栅氧器件的制造方法和双栅氧器件技术

本发明专利技术提供了一种双栅氧器件的制造方法和一种双栅氧器件，其中，所述双栅氧器件的制造方法，包括：在形成有第一阱区和第二阱区的衬底表面生长栅氧化层，所述栅氧化层位于所述第一阱区和所述第二阱区的上方；刻蚀掉所述第一阱区上预定厚度的栅氧化层，以使所述第一阱区上的栅氧化层与所述第二阱区上的栅氧化层存在厚度差；在形成有栅氧化层的衬底表面生长多晶硅层，以得到所述双栅氧器件。本发明专利技术只需生长一次栅氧化层便可实现双栅氧器件中两层栅氧化层之间存在厚度差的要求，优化了双栅氧器件制作工艺，提高了双栅氧器件的制造效率，同时，缩短了炉管作业时间，提高了炉管作业产能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种双栅氧器件的制造方法和一种双栅氧器件。
技术介绍
随着半导体工业成为新兴工业的主流，集成电路已发展成为单一晶粒可以容纳数千万个电晶体的超大型集成电路，而CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)器件因其功耗低，集成度高，噪声低，抗辐射能力强等优点成为超大型集成电路中的主要工艺，但是传统的CMOS器件工作的电源电压较为单一，例如多数CMOS器件的电源电压为5V，无法满足电源的多样化需求。因此，相关技术中提供了工作电压不同的CMOS产品，例如12V的CMOS产品，与5V的CMOS产品相比，12V的CMOS产品有厚度不同的两层栅氧化层，相关技术中制造12V的CMOS产品的工艺如图1A至图1D所示:如图1A所示，在衬底102的表面生长第一阱区104和第二阱区106，采用热氧化生长工艺分别在第一阱区104和第二阱区106表面生长栅氧化层108和110，厚度均为200埃。如图1B所示，刻蚀掉第一阱区104上的栅氧化层108 (图1B中未示出)。如图1C所示，第一阱区104上的栅氧化层完全刻蚀后，在第一阱区104上生长栅氧化层112，厚度为150埃。如图1D所示，在栅氧化层110和栅氧化层112的表面淀积多晶硅层114，完成双栅氧器件的制造。可见，相关技术的制造工艺需要在第一阱区104上生长两次栅氧化层，导致炉管作业时间长，炉管产能较低，不利于CMOS器件的大批量生产。因此，如何优化双栅氧器件的制造工艺，提高双栅氧器件的制造效率成为亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术正是基于上述技术问题至少之一，提出了一种新的双栅氧器件的制造方法，只需生长一次栅氧化层便可实现双栅氧器件中两层栅氧化层之间存在厚度差的要求，优化了双栅氧器件制作工艺，提高了双栅氧器件的制造效率，同时，缩短了炉管作业时间，提高了炉管作业产能。有鉴于此，根据本专利技术的一个方面，提出了一种双栅氧器件的制造方法，包括:在形成有第一阱区和第二阱区的衬底表面生长栅氧化层，所述栅氧化层位于所述第一阱区和所述第二阱区的上方；刻蚀掉所述第一阱区上预定厚度的栅氧化层，以使所述第一阱区上的栅氧化层与所述第二阱区上的栅氧化层存在厚度差；在形成有栅氧化层的衬底表面生长多晶硅层，以得到所述双栅氧器件。在该技术方案中，通过在第一阱区和第二阱区的表面生长栅氧化层后，刻蚀掉第一阱区表面预定厚度的栅氧化层，使得在制造双栅氧器件时，只需一次栅氧化层的生长工艺便可实现双栅氧器件中两层栅氧化层之间存在厚度差的要求，优化了双栅氧器件的制作工艺，相比于相关技术中生长两次栅氧化层，缩短了炉管作业的时间，提高了炉管作业的产能，同时也提高了双栅氧器件的生产效率，且制作工艺完全兼容传统生产流程，无设备成本增加，流程相对简单。在上述技术方案中，优选的，所述刻蚀掉所述第一阱区上预定厚度的栅氧化层的步骤具体包括:在所述第一阱区上的栅氧化层表面涂覆光刻胶，以形成光刻胶窗口 ；刻蚀所述光刻胶窗口区域的预定厚度的栅氧化层。在上述技术方案中，优选的，所述刻蚀为湿法刻蚀。在上述技术方案中，优选的，所述刻蚀为干法刻蚀。在上述技术方案中，优选的，所述刻蚀所述光刻胶窗口区域的预定厚度的栅氧化层的步骤具体为:采用干法刻蚀刻蚀掉所述光刻胶窗口区域的第一厚度的栅氧化层；采用化学溶剂清洗经过干法刻蚀之后的所述光刻胶窗口区域的栅氧化层，以刻蚀掉第二厚度的栅氧化层；其中，所述第一厚度大于所述第二厚度，所述预定厚度等于所述第一厚度与所述第二厚度之和。具体来说，在对第一阱区上的栅氧化层进行刻蚀时，可以采取湿法刻蚀的方法(刻蚀效果良好)，也可以采取干法刻蚀的方法(刻蚀速度较快)，还可以采取干法刻蚀与湿法刻蚀相结合的方法，以在确保刻蚀效果的前提下，提高对栅氧化层的刻蚀速度。在上述技术方案中，优选的，采用热氧化生长工艺生长所述栅氧化层。在上述技术方案中，优选的，生长所述栅氧化层的温度为900°C至1150°C。在上述技术方案中，优选的，所述在形成有第一阱区和第二阱区的衬底表面生长栅氧化层的步骤之前，还包括:在所述衬底表面生长氧化层；对所述氧化层通过离子注入工艺形成所述第一阱区和所述第二阱区。在上述技术方案中，优选的，所述厚度差为100埃至1000埃。根据本专利技术的另一方面，还提出了一种双栅氧器件，所述双栅氧器件采用上述任一项技术方案所述的双栅氧器件的制造方法制造而成。通过本专利技术的技术方案，优化了双栅氧器件的制作工艺，缩短了炉管作业的时间，提高了炉管作业的产能，同时也提高了双栅氧器件的生产效率。【附图说明】图1A至图1D示出了相关技术中双栅氧器件的制造流程示意图；图2示出了根据本专利技术的实施例的双栅氧器件的制造方法的示意流程图；图3A至图3C示出了根据本专利技术的实施例的双栅氧器件的制造流程示意图。【具体实施方式】为了能够更清楚地理解本专利技术的上述目的、特征和优点，下面结合附图和【具体实施方式】对本专利技术进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是，本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本专利技术的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。图2示出了根据本专利技术的实施例的双栅氧器件的制造方法的示意流程图。如图2所示，根据本专利技术的实施例的双栅氧器件的制造方法，包括:步骤202，在形成有第一阱区和第二阱区的衬底表面生长栅氧化层，所述栅氧化层位于所述第一阱区和所述第二阱区的上方；步骤204，刻蚀掉所述第一阱区上预定厚度的栅氧化层，以使所述第一阱区上的栅氧化层与所述第二阱区上的栅氧化层存在厚度差；步骤206，在形成有栅氧化层的衬底表面生长多晶硅层，以得到所述双栅氧器件。在该技术方案中，通过在第一阱区和第二阱区的表面生长栅氧化层后，刻蚀掉第一阱区表面预定厚度的栅氧化层，使得在制造双栅氧器件时，只需一次栅氧化层的生长工艺便可实现双栅氧器件中两层栅氧化层之间存在厚度差的要求，优化了双当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双栅氧器件的制造方法，其特征在于，包括：在形成有第一阱区和第二阱区的衬底表面生长栅氧化层，所述栅氧化层位于所述第一阱区和所述第二阱区的上方；刻蚀掉所述第一阱区上预定厚度的栅氧化层，以使所述第一阱区上的栅氧化层与所述第二阱区上的栅氧化层存在厚度差；在形成有栅氧化层的衬底表面生长多晶硅层，以得到所述双栅氧器件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：崔金洪，贺冠中，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11