一种大功率槽栅门级T‑MOSFET结构设计制造技术

本发明专利技术提供一种大功率槽栅门级T‑MOSFET结构设计，所述T‑MOSFET中槽栅门级的转角区域为子阶梯构成的阶梯状结构。本发明专利技术所述的大功率槽栅门级T‑MOSFET结构设计降低了宽禁带材料T‑MOSFET槽栅门级结构的槽栅氧化层‑半导体界面等效曲率，进而大幅降低槽栅门级结构转角区域的最大电场强度，降低内部雪崩击穿的可能性，提高宽禁带材料T‑MOSFET槽栅门级结构和器件整体的可靠性和稳定性。

Design of a high power level T MOSFET gate slot structure

The invention provides a high power level T groove gate MOSFET structure design, ladder shaped structure of the gate groove angle region level T in MOSFET for a ladder. The high power level T MOSFET gate slot structure design reduces the wide band gap material T MOSFET groove gate structure slot gate oxide semiconductor interface equivalent curvature, thereby significantly reducing the maximum electric field strength groove gate structure corner area, reduce the possibility of internal avalanche breakdown, improve the reliability and stability of wide T MOSFET groove gate band gap material structure and the whole device.

【技术实现步骤摘要】
一种大功率槽栅门级T-MOSFET结构设计
本专利技术属于大功率半导体
，具体涉及一种针对宽禁带材料大功率槽栅门级T-MOSFET结构设计。
技术介绍
新型宽禁带半导体材料如碳化硅和氮化镓等可大幅提高半导体器件性能，但同时在器件设计和工艺上也带来诸多挑战。宽禁带材料MOSFET(如碳化硅MOSFET)是一种高性能大功率可控开关功率半导体器件，具有关断状态下漏电流小、开通状态下导通损耗低、开关速度快、工作频率高、最高运行温度高等优点。采用宽禁带材料MOSFET可使变频器开关频率提升，整体损耗降低，并可降低对电容等储能元件的需求，达到降低变频器成本并提高性能的优势。目前宽禁带材料大功率MOSFET主要有两种门级结构：平面门级的平面栅D-MOS结构，对应D-MOSFET器件，以及垂直门级的槽栅T-MOS结构，对应T-MOSFET器件。在现有技术条件下，T-MOS结构相对于D-MOS结构在MOSFET中可获得更低的导通阻抗，并可实现更高的沟道密度。使用T-MOS结构的MOSFET可实现更高的可用电流密度。高性能宽禁带材料MOSFET内部在阻断高电压状态下会产生高强度电场，其中电场最强处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率槽栅门级T‑MOSFET结构设计，其特征在于，所述T‑MOSFET中槽栅门级的转角区域为子阶梯构成的阶梯状结构。

【技术特征摘要】
1.一种大功率槽栅门级T-MOSFET结构设计，其特征在于，所述T-MOSFET中槽栅门级的转角区域为子阶梯构成的阶梯状结构。2.如权利要求1所述的大功率槽栅门级T-MOSFET结构设计，其特征在于，所述阶梯状结构至少包括2个子阶梯。3.如权利要求1所述的大功率槽栅门级T-MOSFET结构设计，其特征在于，所述每个子阶梯的转角曲率相同或不同。4.如权利要求1所述的大功率槽栅门级T-MOSFET结构设计，其特征在于，所述子阶梯中位于槽栅门级最深处的子阶梯弧度曲率最小。5.如权利要求1所述的大功率槽栅门级T-MOSFET结构设计，其特征在于，所述子阶梯的外轮廓形状相同或不同。6.如权利要求1所述的大功率槽栅门级T-MOSFET结构设计，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张学强，张振中，和巍巍，汪之涵，
申请(专利权)人：深圳基本半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44