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本发明提供一种大功率槽栅门级T‑MOSFET结构设计，所述T‑MOSFET中槽栅门级的转角区域为子阶梯构成的阶梯状结构。本发明所述的大功率槽栅门级T‑MOSFET结构设计降低了宽禁带材料T‑MOSFET槽栅门级结构的槽栅氧化层‑半导体界面等...
该专利属于深圳基本半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳基本半导体有限公司授权不得商用。

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