一种硅基硅锗漂移层LDMOSFET器件结构制造技术
A silicon based SiGe drift layer LDMOSFET device structure
The invention discloses a silicon silicon germanium drift layer LDMOSFET device structure, which comprises a P type silicon semiconductor channel layer, silicon semiconductor layer N doped, silicon based semiconductor N doped silicon germanium semiconductor contact layer, a N type doping drift layer, a the depth to the gate slot type P channel layer 100 nm long, a gate groove in the deposition of silicon oxide dielectric layer, a dielectric layer is deposited on the metal gate, the two by the heavy ion implantation of N doped in the formation of the source drain region, a drain region in two sedimentary source drain electrode.
【技术实现步骤摘要】
一种硅基硅锗漂移层LDMOSFET器件结构
本专利技术属于微电子领域，具体涉及一种硅基硅锗漂移层LDMOSFET器件结构。
技术介绍
基于硅基CMOS技术的集成电路发展迅速，硅基LDMOSFET器件在高频高压器件和集成电路领域的应用也逐步拓展。但是硅基LDMOSFET器件的射频性能、耐压能力仍需要进一步提升。目前随着硅锗半导体材料逐渐在硅基CMOS技术中的应用和外延技术的不断发展，将硅锗半导体材料引入硅基LDMOSFET器件中，必然会对提高器件的射频性能和耐压能力有巨大帮助。硅锗漂移层的LDMOSFET器件是其中重要的应用方向。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提出一种应用硅锗材料作为LDMOSFET器件漂移层的器件结构。主要采用硅锗材料作为器件的漂移层，提高漂移层电子迁移率，提高器件的射频特性。本专利技术提出的硅基硅锗漂移层LDMOSFET器件结构，其包括：一P型硅基半导体沟道层；一N型掺杂的硅半导体漂移层；一重N型掺杂的硅基半导体接触层；一N型掺杂的硅锗半导体漂移层；一个深度到P型沟道层的100纳米长的栅槽；一在该栅槽内沉积的氧化硅介质层；一在该介质层上沉积的栅金属；两个由离子注入形成的重N型掺杂的源漏区域；两个在源漏区域沉积的源漏电极。根据本方案中所述的一种硅基硅锗漂移层LDMOSFET器件结构，其特征在于P型掺杂的半导体沟道层的掺杂浓度为3×1017cm-3。根据本方案中所述的一种硅基硅锗漂移层LDMOSFET器件结构，其特征在于N型掺杂的硅半导体漂移层的厚度为20纳米，掺杂浓度为7×1017cm-3。根据本方案中所述的一种硅基硅锗漂移层LDMOSF...
【技术保护点】
一种硅基硅锗漂移层LDMOSFET器件结构，其包括：一P型硅基半导体沟道层；一N型掺杂的硅半导体漂移层；一重N型掺杂的硅基半导体接触层；一N型掺杂的硅锗半导体漂移层；一个深度到P型沟道层的100纳米长的栅槽；一在该栅槽内沉积的氧化硅介质层；一在该介质层上沉积的栅金属；两个由离子注入形成的重N型掺杂的源漏区域；两个在源漏区域沉积的源漏电极。
【技术特征摘要】
1.一种硅基硅锗漂移层LDMOSFET器件结构，其包括：一P型硅基半导体沟道层；一N型掺杂的硅半导体漂移层；一重N型掺杂的硅基半导体接触层；一N型掺杂的硅锗半导体漂移层；一个深度到P型沟道层的100纳米长的栅槽；一在该栅槽内沉积的氧化硅介质层；一在该介质层上沉积的栅金属；两个由离子注入形成的重N型掺杂的源漏区域；两个在源漏区域沉积的源漏电极。2.根据权利要求1所述的一种硅基硅锗漂移层LDMOSFET器件结构，其特征在于P型掺杂的半导体沟道层的掺杂浓度为3×1017cm-3。3.根据权利要求1所述的一种硅基硅锗漂移层LDMOSFET器...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘丽蓉，王勇，丁超，
申请(专利权)人：东莞市广信知识产权服务有限公司，东莞华南设计创新院，
类型：发明
国别省市：广东,44
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