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本发明公开了一种沟槽金属－氧化物半导体,包括：栅极沟槽，所述栅极沟槽的底部及侧壁上淀设有栅氧化物层，且栅极沟槽槽壁下半部及底部的栅氧化物层的厚度相同且厚于栅极沟槽顶部的栅氧化物层。本发明的优点是：沟槽的形成只通过一步刻蚀完成，只刻蚀一次外延...
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