显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种显示装置，包含：基板结构，包括：基板，具有多个像素，且每一像素具有开口区；金属氧化物晶体管，设置在基板上且包括；金属氧化物半导体层，具有第一通道区；第一栅极，对应第一通道区；以及氧化硅绝缘层，位于金属氧化物半导体层上，其中氧化硅绝缘层具有开口，且开口对应开口区设置；以及多晶硅晶体管，设置在基板上；对向基板结构；以及显示介质，位于基板结构与对向基板结构之间。

display device

The invention discloses a display device, comprising: a substrate structure includes a substrate having a plurality of pixels, and each pixel has an opening area; metal oxide transistor is arranged on the substrate and including; metal oxide semiconductor layer, having a first channel region; the first gate, corresponding to the first channel region; and a silicon oxide insulating layer, located in the metal oxide semiconductor layer, wherein the silicon oxide insulating layer has an opening, and the opening of the corresponding opening area is provided; and polysilicon transistors disposed on the substrate; the opposite substrate structure; and a display medium, is located in the substrate structure and the opposite substrate structure.

【技术实现步骤摘要】
显示装置
本专利技术涉及显示装置，特别是涉及其阵列基板结构。
技术介绍
目前常见的薄膜液晶显示器(TFT－LCD)其制作工艺可分为三大流程，第一段为驱动、显示信号制作的阵列(Array)基板制作工艺及彩色滤光基板制作工艺，第二段为液晶控制、充填与封合的液晶面板(Cell)制作工艺；第三段则是偏光片、背光模块与液晶面板组装的模块化(Module)组装制作工艺。在阵列基板制作工艺中，常采用氧化硅层与氮化硅层作为不同导电层之间的绝缘层。然而氧化硅层与氮化硅层的折射率不同，两者的界面易使光线部分反射而无法完全穿过。如此一来，将降低阵列基板的像素开口区的开口率。综上所述，目前亟需新的阵列基板结构克服上述问题。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供的显示装置，包含：基板结构，包括：基板，具有像素，且像素具有开口区；金属氧化物晶体管，设置在基板上且包括；金属氧化物半导体层，具有第一通道区；第一栅极，对应第一通道区；以及氧化硅绝缘层，位于金属氧化物半导体层上，其中氧化硅绝缘层具有开口，且开口对应开口区设置；以及多晶硅晶体管，设置在基板上；对向基板结构；以及显示介质，位于基板结构与对向基板结构之间。本专利技术一实施例提供的显示装置，包含：基板结构，包括：基板，具有像素，且像素具有开口区；金属氧化物晶体管，设置在基板上且包括；金属氧化物半导体层，具有第一通道区；第一栅极，对应第一通道区；以及栅极绝缘层，位于第一栅极与金属氧化物半导体层之间，其中栅极绝缘层包含第一氮化硅层与第一氧化硅层，第一氧化硅层位于第一氮化硅层与金属氧化物半导体层之间；多晶硅晶体管，设置在基板上；以及氮化硅绝缘层，位于金属氧化物晶体管与多晶硅晶体管上，其中开口区中的氮化硅绝缘层直接接触第一氮化硅层；对向基板结构；以及显示介质，位于基板结构与对向基板结构之间。附图说明图1至图8与图12至图19为本专利技术实施例中，阵列基板结构的剖视图；图9A至图9J、图10A至图10C、与图11A至图11B为本专利技术实施例中，阵列基板结构的制作工艺剖视图；图20为本专利技术实施例中，多晶硅晶体管与金属氧化物晶体管均采用底栅极的设计的剖视图；图21为本专利技术一实施例中，显示装置的示意图。符号说明14遮光层10a像素区10b驱动电路11a金属氧化物晶体管11n、11p多晶硅晶体管11o开口区13基板15、15a、15b、19a、19b、19c缓冲层17多晶硅层17c通道区17d漏极区17s源极区21d、29d、43d漏极21s、29s、43s源极21、29g栅极21'、29L3栅极线23、25层间介电层27金属氧化物半导体层29c接点29h、43h、45h通孔29L1、45L1、45L3源极线29L2、45L2、45L4漏极线31、31a、31b、31c、35、35a、35b、41绝缘层32背面曝光制作工艺33开口37有机绝缘层39共同电极43p像素电极51非晶硅层53掺杂硅层100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i、100j、100k、100l、100m、100n、100o、100p、100q、100r、210a阵列基板结构210b显示介质210c对向基板结构具体实施方式多晶硅晶体管具有高开启电流(Ion)与高载流子迁移率，而金属氧化物半导体晶体管具有低关闭电流(Ioff)与好的均匀度。本专利技术整合上述两者，在面板中同时使用多晶硅晶体管与金属氧化物半导体晶体管，配合晶体管使用特性配置于显示面板中。例如驱动电路中同时使用多晶硅晶体管与金属氧化物半导体晶体管，相对位置可以是垂直方向的层叠连接或水平方向的电连接以形成所需要的电路结构；或在像素区中搭配使用多晶硅晶体管与金属氧化物半导体晶体管，可做为开关、补偿等电路设计。以下各实施例中，在驱动电路采用多晶硅晶体管，并在像素区采用金属氧化物晶体管，以兼具两者优点。在一实施例中，阵列基板结构100a的剖视图如图1所示。在图1中，阵列基板结构100a分为多个像素区10a与驱动电路10b。每一像素区10a具有金属氧化物晶体管11a与开口区11o，而驱动电路10b包含n型的多晶硅晶体管11n与p型的多晶硅晶体管11p。在其他实施例中，驱动电路10b可只具有n型的多晶硅晶体管11n，或只具有p型的多晶硅晶体管11p，端视需要而定。阵列基板结构100a包含基板13，其为透明材质如玻璃或塑胶。遮光层14位于基板13上，且分别对应多晶硅晶体管11n与11p的多晶硅层17与金属氧化物晶体管11a的金属氧化物半导体层27，其材质可为黑色树脂或金属如铬，且其形成方法可为溅镀成层后以光刻蚀刻等制作工艺图案化。缓冲层15位于遮光层14上，其材质可为氮化硅，且其形成方法可为化学气相沉积(CVD)。缓冲层19a位于缓冲层15上，其材质可为氧化硅，且其形成方法可为化学气相沉积。多晶硅层17位于缓冲层19a上，且对应多晶硅晶体管11n与11p，其材质可为低温多晶硅(LTPS)层。在一实施例中，形成多晶硅层17后可采用光刻制作工艺形成的遮光光致抗蚀剂图案(未图示)保护中间的通道区17c，再注入离子至通道区17c两侧以定义源极区17s/漏极区17d。之后可视情况移除遮光光致抗蚀剂图案，移除方法可为湿式或干式剥除。缓冲层19b位于多晶硅层17与缓冲层19a上，其材质可为氧化硅，且其形成方法可为CVD。栅极21位于缓冲层19b上，其材质可为金属，且其形成方法可为溅镀成层后以光刻蚀刻等制作工艺图案化。对多晶硅晶体管11n与11p而言，栅极21对应通道区17c，而通道区17c与栅极21之间的栅极绝缘层为缓冲层19b。层间介电层23位于栅极21与缓冲层19b上，其材质可为氮化硅，且其形成方法可为CVD。层间介电层25位于层间介电层23上，其材质可为氧化硅，且其形成方法可为CVD。金属氧化物半导体层27位于层间介电层25上并对应金属氧化物晶体管11a的栅极21，其材质可为氧化铟镓锌(IGZO)，且其形成方法可为溅镀成层后以光刻蚀刻等制作工艺图案化。值得注意的是，金属氧化物半导体层27的通道区不应曝光或接触氮化硅层以避免由半导体转变为导体。对金属氧化物晶体管11a而言，通道区(金属氧化物半导体层27)与栅极21之间的栅极绝缘层为层间介电层23与25，比如氧化硅层与氮化硅层的双层结构，且氧化硅层位于氮化硅层与金属氧化物半导体层27之间。值得注意的是，若上述栅极绝缘层的排列顺序相反(比如氮化硅层位于氧化硅层与金属氧化物半导体层27之间)，则金属氧化物半导体层27将接触氮化硅层而电性表现不佳。源极线29L1、漏极线29L2、源极29s、与漏极29d形成于层间介电层25上。源极线29L1位于源极区17s上，两者之间以穿过层间介电层25、层间介电层23、与缓冲层19b的通孔29h连接。漏极线29L2位于漏极区17d上，两者之间以穿过层间介电层25、层间介电层23、与缓冲层19b的通孔29h连接。源极29s与漏极29d分别位于金属氧化物半导体层27的两侧上。通孔29h的形成方法可为光刻与蚀刻穿过层间介电层27、层间介电层25、与缓冲层19b后形成孔洞后，将金属填入孔洞并成层于层间介电层27上。接着以光刻蚀刻等制作工艺图案化金属层，即可定义源极线29L1、漏极线29本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示装置，包含：基板结构，包括：基板，具有一像素，且该像素具有开口区；金属氧化物晶体管，设置在该基板上且包括；金属氧化物半导体层，具有第一通道区；第一栅极，对应该第一通道区；以及氧化硅绝缘层，位于该金属氧化物半导体层上，其中该氧化硅绝缘层具有一开口，且该开口对应该开口区设置；以及多晶硅晶体管，设置在该基板上；对向基板结构；以及显示介质，位于该基板结构与该对向基板结构之间。

【技术特征摘要】
2015.12.24 US 62/387,2131.一种显示装置，包含：基板结构，包括：基板，具有一像素，且该像素具有开口区；金属氧化物晶体管，设置在该基板上且包括；金属氧化物半导体层，具有第一通道区；第一栅极，对应该第一通道区；以及氧化硅绝缘层，位于该金属氧化物半导体层上，其中该氧化硅绝缘层具有一开口，且该开口对应该开口区设置；以及多晶硅晶体管，设置在该基板上；对向基板结构；以及显示介质，位于该基板结构与该对向基板结构之间。2.如权利要求1所述的显示装置，其中该多晶硅晶体管位于该基板结构的一驱动电路中，该金属氧化物晶体管位于该像素中，且该多晶硅晶体管驱动该金属氧化物晶体管。3.如权利要求1所述的显示装置，其中该多晶硅晶体管包括：多晶硅半导体层，具有第二通道区；以及第二栅极，对应该第二通道区；其中该多晶硅半导体层位于该基板与该第二栅极之间，且该金属氧化物半导体层位于该基板与该第一栅极上。4.如权利要求3所述的显示装置，其中该基板结构还包括遮光层，设置于该多晶硅半导体层与该基板之间。5.如权利要求4所述的显示装置，其中该第一栅极位于该金属氧化物半导体层与该基板之间，且该第一栅极与该遮光层同层。6.如权利要求3所述的显示装置，其中该多晶硅晶体管包括非晶硅层，位于该多晶硅半导体层上。7.如权利要求1所述的显示装置，其中该基板结构还包括氮化硅绝缘层，位于该金属氧化物晶体管与该多晶硅晶体管上，其中在该开口区中该氮化硅绝缘层直接接触该基板。8.如权利要求1所述的显示装置，其中该基板结构还包括有机绝缘层，位于该金属氧化物晶体管与该多晶硅晶体管上，且在该开口区中该有机绝缘层直接接触该基板。9.如权利要求1所述的显示装置，其中该氧化硅绝缘层的边缘对准该第一栅极的边缘，或对准一第一源极与一第一漏极的边缘，其中该第一源极与该第一漏极位于该第一通道区两侧。10.如权利要求1所述的显示装置，其中该多晶硅晶体管的一第二栅极位于该...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜子旻，林明昌，李冠锋，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71