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背照式互补型金属氧化物半导体影像传感器制造技术
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下载背照式互补型金属氧化物半导体影像传感器的技术资料
文档序号:8149898
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本实用新型提供一种背照式互补型金属氧化物半导体影像传感器,在金属层间介质层上形成有厚度为的绝缘介质层,可以使得载片与图形晶片键合时的残留气体在退火后从绝缘介质层中释放,有效防止图形晶片与载片键合退火后的空隙产生,提高器件性能。...
该专利属于豪威科技(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过豪威科技(上海)有限公司授权不得商用。
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