图像传感器及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种图像传感器及其制造方法，能够提高光吸收的效率。所述图像传感器形成于带有绝缘埋层的衬底中，所述衬底包括绝缘埋层和绝缘埋层表面的器件层，所述图像传感器的像素电路和光电二极管形成于器件层中，在所述光电二极管的表面设置有第一覆盖层，并在所述衬底的另一表面与第一覆盖层对应的位置设置有第二覆盖层，所述第二覆盖层为光入射层。本发明专利技术的优点在于，通过入射光线的多次反射，使其在感光区内被多次吸收，从而提高了基于图像传感器感光单元的光吸收效率，进一步采用背面照射技术也避免了入射光收到金属布线层的遮挡，提高了图像传感器的量子效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及图像传感器领域，尤其涉及一种。
技术介绍
SOI (Silicon-On-Insulator,绝缘衬底上的娃)技术是在顶层娃和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了传统的体硅材料所无法比拟的优点可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、エ艺简単、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势。图像传感器是ー种将光学图像转换为电信号的半导体器件，一般由感光像素和CMOS信号处理电路构成。目前常见的CMOS图像传感器是有源像素型图像传感器(APS)，其 中又分为三管图像传感器(3T，包括复位晶体管、放大晶体管和行选择晶体管)和四管图像传感器(4T，包括转移晶体管、复位晶体管、放大晶体管和行选择晶体管)两大类。一种现有的制作于SOI衬底上的CMOS图像传感器像素单元结构如图I所示，采用的是全耗尽结构，包括衬底100、埋氧层110和器件层130。器件层130包括光电ニ极管140、复位晶体管150、源极跟随晶体管160和行选晶体管170。此像本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种图像传感器，形成于带有绝缘埋层的衬底中，所述衬底绝缘埋层和绝缘埋层表面的器件层，所述图像传感器的像素电路和光电二极管形成于器件层中，其特征在于，在所述光电二极管的表面设置有第一覆盖层，并在所述衬底的另一表面与第一覆盖层对应的位置设置有第二覆盖层，所述第二覆盖层为光入射层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：汪辉，陈志卿，陈杰，方娜，田犁，任韬，
申请(专利权)人：上海中科高等研究院，
类型：发明
国别省市：