背照式照明影像感测器及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种背照式照明影像感测器以及制造背照式照明影像感测器的方法，该方法包含：在位于一基底层的第一侧上的一外延层中植入一第一类掺杂物，用以于该外延层的第一侧中形成一第一掺杂层；在该第一掺杂层上附着一支撑层，用以支撑该基底层；磨除该基底层的第二侧，以露出该外延层的第二侧，从该外延层的第二侧向该外延层中植入该第一类掺杂物，用以于该外延层的第二侧中形成一第二掺杂层；在该外延层的第二侧中形成该第二掺杂层之后，在该第二掺杂层上形成至少一金属层；移除该支撑层，并且在该第一掺杂层上形成一彩色滤光模块。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及ー种影像感测器以及ー种制造该影像感测器的方法，尤其是涉及ー种背照式照明影像感测器(back-side illumination(BSI) image sensor)以及一种制造该背照式照明影像感测器的方法。
技术介绍
随着互补金属氧化物半导体影像感测器(CMOS image sensor, CIS)的像素大小逐渐降低，某些由像素縮小所引起的问题也变得很重要，例如一感测阵列中的量子效率、干扰以及暗电流。在一现有的影像感测器中，例如前端照明感测器，每ー像素感测器的显微镜头都安装于一基板的前端上，因此，入射光需要透过由金属层所组成的电路中间的介质层才能到达一光敏ニ极管，否则该入射光将被金属或其他反射材料反射或吸收。由于光的传播路径不能被金属或其他种类的反射材料所阻挡，因此该填充因子就会受到限制。 为了提高一影像感测器的致密性，现有此技术者因而提供一背照式照明影像感测器。在一背照式照明影像感测器中，入射光从该影像感测器的一基板的背面射入，因此，该基板的正面可以保留作各种功能的电路。随着该背照式照明技术的应用，基板的正面会有越来越多的可用空间用以建立各种功能电路。另外，在该背照本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造一背照式照明影像感测器(back？side？illumination(BSI)image？sensor)的方法，包含：向位于一基底层的第一侧上的一外延层中植入一第一类掺杂物，用以于该外延层的第一侧中形成一第一掺杂层；在该第一掺杂层上附着一支撑层，用以支撑该基底层；磨除该基底层上的第二侧，以露出该外延层的第二侧；从该外延层的第二侧向该外延层中植入该第一类掺杂物，用以于该外延层的第二侧中形成一第二掺杂层，其中该第一掺杂层与该第二掺杂层部分重叠；在该外延层的第二侧中形成该第二掺杂层之后，在该第二掺杂层上形成至少一金属层；移除该支撑层；以及在该第一掺杂层上形成一彩色滤光模块。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄芳铭，张聪杰，
申请(专利权)人：英属盖曼群岛恒景科技股份有限公司，奇景半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：