OLED照明基板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种OLED照明基板及其制造方法，所述OLED照明基板包括基板，所述基板上依次设置有阳极、有机功能层和阴极,其中，所述基板和阳极之间设有电阻层，所述电阻层划分成多个块状电阻，所述阳极被分割成多个子阳极，每个子阳极和一个块状电阻相串联，多个块状电阻通过互联线相连在一起。本发明专利技术提供的OLED照明基板及其制造方法，通过在电源和阳极之间加入串联电阻层，从而起到了电流限制的作用，整块大面积的阳极被分割为较小面积的子阳极，被电阻隔离的阳极，产生的汇聚电流强度会减弱，减弱了电流聚集效应，减少阴阳极短路机率，从而解决电极容易被烧坏，以及发光不均匀的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种照明基板及其制造方法，尤其涉及一种OLED照明基板及其制造方法。
技术介绍
近年来，已经开发出重量轻且体积小的各种类型的平板照明装置。在各种类型的平板照明装置中，由于有机发光二极管(OLED)来照明，通常具有能耗低，能平面化，大型化等诸多优点，已经成为下一代照明装置的焦点。图IA为现有的有机发光二极管照明装置的像素结构示意图，现有OLED照明器件一般包括基板1和后盖2，其中，基板1上沉淀有阳极3，阳极3上设有非常薄的多层有机功能层4，以及位于有机功能层4上的阴极5。OLED发光的原理就是通过在阴极5，阳极3之间加直流电驱动而使有机功能层4发光，如图IB所示。现在技术中，基板1上的阳极3采用直接蒸镀或沉淀形成整体的大面积阳极，此类方法虽然简单，但是现有技术中的阳极会使得电流聚集时产生很大的电流强度，并进一步带来较强的电流聚集效应，产生的大电流导致电极被烧坏，发生阴阳极短路和发光不均勻等问题。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种OLED照明基板及其制造方法，可有效解决大电流导致的电极被烧坏，发生阴阳极短路以及发光不均勻等问题。本专利技术为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种OLED照明基板，包括基板，所述基板上依次设置有阳极、有机功能层和阴极，其中，所述基板和阳极之间设有电阻层，所述电阻层划分成多个块状电阻，所述阳极被分割成多个子阳极，每个子阳极和一个块状电阻相串联，多个块状电阻通过互联线相连在一起。上述的OLED照明基板，其中，所述多个块状电阻为矩形块状电阻，所述矩形块状电阻的宽度为1纳米 1米，长度为1纳米 1米。上述的OLED照明基板，其中，所述多个子阳极为矩形块状子阳极，所述矩形块状子阳极大小和所述矩形块状电阻大致相同。本专利技术为解决上述技术问题还提供一种上述OLED照明基板制造方法，包括如下步骤提供一基板，并在该基板上沉积第一金属层和第一光刻胶层，曝光显影之后，采用干刻或者湿刻形成电源的互联线图形和电源接线端子；在刻蚀后的第一金属层上继续沉积第一绝缘层和第二光刻胶层，曝光显影之后，采用干刻或者湿刻形成接触孔图形；在刻蚀后的第一绝缘层上继续沉积形成电阻层和第三光刻胶层，曝光显影之后，采用干刻或者湿刻形成多个块状电阻层图形；在刻蚀后的电阻层上继续沉积形成第二绝缘层和第四光刻胶层，曝光显影之后，采用干刻或者湿刻形成通孔图形；在刻蚀后的第二绝缘层继续沉积形成阳极层和第五光刻胶层，曝光显影之后，采用干刻或者湿刻形成多个块状阳极层图形；最后在刻蚀后的阳极层上依次形成有机功能层和阴极覆盖在阳极上，形成OLED照明基板。上述的OLED制造方法，其中，所述第一金属层材料为钼钨、钼铝钼或镁银合金。上述的OLED制造方法，其中，所述第一绝缘层材料为二氧化硅、氮化硅或正硅酸乙酯。上述的OLED制造方法，其中，所述电阻层材料为多晶硅或氧化铟锡。上述的OLED制造方法，其中，所述阳极层材料为氧化铟锡或镁银合金。本专利技术对比现有技术有如下的有益效果本专利技术提供的OLED照明基板及其制造方法，通过在电源和阳极之间加入串联电阻层，从而起到了电流限制的作用，整块大面积的阳极被分割为较小面积的子阳极，被电阻隔离的阳极，产生的汇聚电流强度会减弱，减弱了电流聚集效应，减少阴阳极短路机率，从而解决电极容易被烧坏，以及发光不均勻的问题。附图说明图IA为现有的有机发光二极管照明装置的像素结构示意图；图IB为现有的有机发光二极管照明装置的像素等效电路示意图；图2为本专利技术的电阻驱动有机发光显示装置结构示意图3为本专利技术的电阻驱动有机发光显示装置的像素等效电路示意图；图4为本专利技术的OLED照明基板制造方法示意图。图中1基板2后盖3阳极4有机功能层5阴极具体实施例方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的描述。图2为本专利技术的电阻驱动有机发光显示装置结构示意图；图3为本专利技术的电阻驱动有机发光显示装置的像素等效电路示意图。请参见图1 图3，本专利技术的OLED照明基板包括基板1，所述基板1上依次设置有阳极3、有机功能层4和阴极5，其中，所述基板1和阳极3之间设有电阻层，所述电阻层划分成多个块状电阻，所述阳极3被分割成多个子阳极，每个子阳极和一个块状电阻相串联，多个块状电阻通过互联线相连在一起。图2中电阻驱动有机发光显示装置101由OLED照明像素102的列阵构成。所有的OLED照明像素102均连接到第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS。电阻器件与OLED器件串联后分别连接到第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS。由于串联电阻的电流限制作用，使得该短路的OLED像素器件不会影响到其他OLED像素器件的正常工作，极大的提高了整个OLED照明器件的良率和可靠性。减弱了电流汇聚效应，减少阴阳极容易短路，电极容易被烧坏，以及发光不均勻的问题。图4为本专利技术的OLED照明基板制造方法示意图。请继续参照图4，本专利技术的OLED照明基板制造方法包括如下步骤步骤S401 在基板上采用溅射或者其他方法沉积形成第一金属层，所述基板为绝缘基4板，如玻璃基板；第一金属层可选钼钨，钼铝钼，镁银合金等材料；在第一金属层上涂敷第一光刻胶层，曝光显影之后，采用干刻或者湿刻形成电源互联线图形和电源接线端子，互联线图形可以为网格状，条状，或者其他任意形状；原来的电源接线端子现在要在互联线层上实现；进入步骤S402 ；步骤S402，在刻蚀后的第一金属层上继续形成第一绝缘层，第一绝缘层可选二氧化硅，氮化硅，正硅酸乙酯(TEOS)等；所述第一绝缘层完全覆盖互联线，在第一绝缘层上涂覆第二光刻胶层，曝光显影之后，采用干刻或者湿刻形成接触孔图形，接触孔图形形状为任意形状；进入步骤S403 ；步骤S403，在刻蚀后的第一绝缘层上继续形成电阻层，电阻层可选用多晶硅，氧化铟锡等；刻蚀电阻层之前涂覆第三光刻胶层，曝光显影之后，采用干刻或者湿刻形成多个块状电阻层图形，电阻层图形通过接触孔图形和电源互联线图形相连；电阻层图形优选为矩形块状，矩形块状电阻的线宽范围为1纳米 1米，电阻的线宽设计的越小则电阻的阻值就越大，通过电阻的电流就越小，矩形块状电阻的长度范围为1纳米 1米，电阻的长度设计的越大则电阻的阻值就越大，通过电阻的电流就越小；对于底发射技术，矩形块状电阻的面积设计可以增加发光材料的发光面积；进入步骤S404 ；步骤S404，在刻蚀后的电阻层上继续形成第二绝缘层；第二绝缘层选用材料与第一绝缘层情况相同，在第二绝缘层上涂覆第四光刻胶层，曝光显影之后，采用干刻或者湿刻形成通孔图形，通孔图形形状为任意形状；进入步骤S405步骤S405，在刻蚀后的第二绝缘层继续上形成阳极层；阳极层可选用氧化铟锡，镁银合金等；所述阳极层通过通孔图形和电阻层相连；刻蚀阳极材料层之前涂覆第五光刻胶层，曝光显影之后，采用干刻或者湿刻形成多个块状阳极层图形，阳极层图形形状优选为多个矩形块状子阳极，矩形块状子阳极大小优选和矩形块状电阻大小大致相同；进入步骤S406 ；步骤S406，在刻蚀后的阳极层上依次形成有机功能层和阴极覆盖在阳极上，形成OLED照明基板。将OLED照明基板与后盖封合，形成OLED照明器件。综上所述，现有技术的OLED照明器件中基本上通过蒸镀或沉积形成整体的阳极，但是形成的整块大面本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＯＬＥＤ照明基板，包括基板（１），所述基板（１）上依次设置有阳极（３）、有机功能层（４）和阴极（５），其特征在于，所述基板（１）和阳极（３）之间设有电阻层，所述电阻层划分成多个块状电阻，所述阳极（３）被分割成多个子阳极，每个子阳极和一个块状电阻相串联，多个块状电阻通过互联线相连在一起。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱晖，邱勇，高孝裕，黄秀颀，
申请(专利权)人：昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司，
类型：发明
国别省市：32