【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术主要涉及χ射线成像,更具体地,涉及结合使用闪烁器和像素图像传感器以捕获X射线图像的情况。
技术介绍
通常利用闪烁器结合图像传感器来捕获χ射线图像。在这样的设置中,图像传感器位于闪烁器的后面。然而,根据自然法则,闪烁器仅能吸收进入闪烁器的表面的所有X射线光子的某一部分。结果,多个未被吸收的X射线光子穿过闪烁器并且进入图像传感器。这些X射线光子的某些在图像传感器中被吸收,这通常造成明显的噪声,影响在X射线光子被吸收的位置的附近区域中的一个或几个像素。 在χ射线成像中,通常要求获得尽可能最好的图像质量,经常理解为高分辨率(锐度)和低噪声之间的平衡。这两个图像要求通常是矛盾的,从而使得高分辨率往往伴随着高噪声,反之亦然。如在上一段所说明的,在图像传感器中通过X射线光子的吸收而产生的噪声不能被容易地滤掉而不劣化图像中的分辨率(锐度)。有时,将由χ射线吸收玻璃制成的光纤板(FOP)放置在闪烁器与图像传感器之间,以吸收穿过闪烁器的X射线光子,从而降低噪声。然而,此解决方案成本高并且增加了系统的总体厚度和重量,这是所不期望的许多倍。
技术实现思路
本专利技术克服了现有技术 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.04.09 US 61/322,5791.一种用于图像传感器的像素(100),其中,所述像素(100)基于掺杂基板(110),在所述掺杂基板上设置了轻掺杂的外延层(120),其中,感光结构(130)和绝缘反向偏置阱(140)被限定在所述外延层(120)中,并且所述感光结构(130)被封装在所述反向偏置阱(140)中。2.根据权利要求I所述的像素,其中,所述感光结构(130)由光在其中被转换成构成信号的电载流子的耗尽区来限定,并且所述耗尽区整体被包含在所述反向偏置阱(140)中以降低通过在所述耗尽区外的X射线光子的吸收所产生的载流子向所述信号贡献噪声的风险。3.根据权利要求I或2所述的像素,其中,所述感光结构(130)被设计有用以在保持用于可见光子的充分吸收的足够深度的同时降低在所述感光结构中的X射线相互作用的可能性的深度或厚度。4.根据权利要求I至3中任一项所述的像素,其中,所述像素(100)进一步包括另外的绝缘阱(150),所述绝缘阱遍及...
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