降低通气噪声的结构及立式氧化炉制造技术

本实用新型专利技术一种降低通气噪声的结构，用于降低供气管路向立式氧化炉通气时的噪声，其包括具有气体缓冲腔的内壳，该气体缓冲腔包括进气缓冲腔和反向出气缓冲腔，进气缓冲腔与反向出气缓冲腔之间具有相互连通的通道，供气管路与进气缓冲腔相连通，其中，反向出气缓冲腔的出气方向与进气缓冲腔的进气方向相反。该降低通气噪声的结构能有效地降低供气管路向立式氧化炉通入气体时所产生的噪声，并具有制造简单，成本低和适用性广等优点。此外，本实用新型专利技术还提供了一种采用上述降低通气噪声的结构的立式氧化炉，其在供气管路末端增加上述一种降低通气噪声的结构，能有效降低噪声，消除噪声对周围环境和人体的伤害，营造一个良好的工作环境。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
降低通气噪声的结构及立式氧化炉
本技术涉及一种降噪结构，具体涉及一种降低通气噪声的结构及使用该降低通气噪声的结构的立式氧化炉。
技术介绍
在半导体集成电路制造中，对硅片的加工处理特别是氧化处理是非常重要的一个环节，比如，以热氧化生长的方式在硅片上生成二氧化硅，用于Gate Oxide (栅氧化)，Pad Oxide (垫层氧化)，Sac Oxide (牺牲氧化)或Field Oxide (场氧化)，也可以用作Anneal (退火)和Well Drive (阱驱动)等工艺。目前，立式氧化炉已取代卧式氧化炉硅片成为主要的氧化处理设备，其具有控温精度高、可靠性好及适用于集成电路尤其是大规模集成电路制造过程中各种氧化、退火和薄膜生长等工艺的优点。在立式氧化炉的使用过程中，为避免外界大气对氧化工艺的影响需要通过风循环系统对立式氧化炉内的微环境注入大量的N2,以排出微环境内的其他气体，形成一个富N2环境。而风循环系统中的N2是通过供气管路一端直接连接到位于立式氧化炉内的风循环管路来进行输送的，在供气管路的另一端连接有源源不断生产N2的设备，其中，在供气管道与立式氧化炉间还具有N2流量计以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低通气噪声的结构，用于降低供气管路向立式氧化炉通气时的噪声，其特征在于，具有气体缓冲腔的内壳，所述气体缓冲腔包括进气缓冲腔和反向出气缓冲腔，所述进气缓冲腔与所述反向出气缓冲腔之间具有相互连通的通道，所述供气管路与所述进气缓冲腔相连通，其中，所述反向出气缓冲腔的出气方向与所述进气缓冲腔的进气方向相反。

【技术特征摘要】
1.一种降低通气噪声的结构，用于降低供气管路向立式氧化炉通气时的噪声，其特征在于，具有气体缓冲腔的内壳，所述气体缓冲腔包括进气缓冲腔和反向出气缓冲腔，所述进气缓冲腔与所述反向出气缓冲腔之间具有相互连通的通道，所述供气管路与所述进气缓冲腔相连通，其中，所述反向出气缓冲腔的出气方向与所述进气缓冲腔的进气方向相反。2.根据权利要求1所述的一种降低通气噪声的结构，其特征在于，还包括与所述内壳外部具有一定空间距离的外壳体，其中，所述内壳和外壳体具有一个或多个接触面。3.根据权利要求2所述的一种降低通气噪声的结构，其特征在于，至少一个所述接触面上包括至少一个第一出气孔。4.根据权利要求3所述的一种降低通气噪声的结构，其特征在于，所述第一出气孔的形状为圆形、椭圆形或矩形中的一种或多种。5.根据权利要求4所述的一种降低通气噪声的结构，其特征在于，所述第一出气孔的形状为圆形，其直径为I?3mm。6.根据权利要求2所述的一种降低通气噪声的结构,其特征在于,所述内壳和外壳体间具有一个或多个密闭的隔离腔，其中所述隔离腔内填充有空气。7.根据权利要求1至6任一项所述的一种降低通...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋辰龙，
申请(专利权)人：北京七星华创电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11