【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
数据存储器件一般以快速且高效的方式工作以存储和检索数据。一些存储器件利用固态存储器单元的半导体阵列来存储数据的各个位。这类存储器单元可以是易失性的(例如DRAM、SRAM)或非易失性的(RRAM、STRAM、闪存等)。如所能理解的那样，易失性存储器单元通常仅在持续向器件提供工作功率时保留存储在存储器中的数据，而非易失性存储器单元通常即使在不施加工作功率时也保留存储器中的数据存储。一般来说，包括选择器件的数据存储器件被制造成沿共同衬底的横向配置。然而，随着电子器件变得越来越复杂，例如噪声和电气短路的空间问题可能使器件低效率运转。如此，电气组件垂直地扩展可减少经常遇到的空间问题。 在这些和其它类型的数据存储器件中，经常需要尤其通过减小存储器单元或选择器件的水平表面积来提高效率和性能。
技术实现思路
本专利技术的各实施例涉及用于访问非易失性存储器单元的半导体器件。在一些实施例中，半导体器件具有包括源极、漏极和阱的半导体层的垂直叠层。向半导体器件施加漏极-源极偏置电压产生横跨阱的穿通机制以在源极和漏极之间引起电流流动。此外在各实施例中，半导体层的垂直叠层具有源极、漏极和...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2009.07.13 US 12/502,0891.一种包含半导体层的垂直叠层的半导体器件，所述垂直叠层包括源极、漏极和阱，其中漏极-源极偏置电压的施加产生横跨所述阱的穿通机制以在所述源极和所述漏极之间引发电流流动。2.如权利要求I所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件与阻性感测元件(RSE)结合以形成存储器单元，其中所述电流流动将RSE编程至选定的阻态。3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述RSE包括相变随机存取存储器(PCRAM)单元。4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述RSE包括可编程的金属化单元(PMC) ο5.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述RSE包括阻性随机存取存储器(RRAM)单元。6.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述RSE包括自旋扭矩转移随机存取存储器(STRAM)单元。7.如权利要求I所述的半导体器件，其特征在于，在所述阱附近形成肖特基势垒作为源极和漏极的取代。8.如权利要求I所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件被表征为不具有关联栅极结构的二端子开关。9.如权利要求I所述的半导体器件，其特征在于，所述穿通机制通过设置在所述半导体器件侧壁附近的栅极诱发在所述阱中的MOSFET沟道附近延伸。10.如权利要求I所述的半导体器件，其特征在于，所述穿通机制是用双向电压产生的。11.如权利要求I所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层的垂直叠层通过使用施主晶片和受:主晶片的晶片粘合来构造出。12.如权利要求11...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·霍利，HK·李，P·马诺斯，C·郑，Y·P·金，
申请(专利权)人：希捷科技有限公司，
类型：
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。