一种非易失性存储器的恢复方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种非易失性存储器的恢复方法和装置。该方法包括：根据数据恢复指令确定待恢复存储单元的起始地址和待恢复范围；根据所述起始地址在所述非易失性存储器中确定待处理的当前存储单元；对所述当前存储单元进行数据校验；如果校验失败则对所述当前存储单元进行数据恢复并按照设定顺序更新当前地址，如果校验成功则按照设定顺序更新当前地址；将当前地址对应的存储单元确定为当前存储单元，并返回执行所述数据校验的操作，直到遍历完整个待恢复范围内的存储单元。本发明专利技术公开的技术方案可以提高存储单元的数据保持力，进而提高非易失性存储器的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及非易失性存储器
，尤其涉及一种非易失性存储器的恢复方法和装置。
技术介绍
半导体存储器是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器。半导体存储器件分成易失性存储器件和非易失性存储器件。其中，非易失性存储器是所有形式的固态(没有可动部分)存储器的一个一般的术语，它不用定期地刷新存储器内容，在掉电后，存储器中的数据不会丢失。所以，非易失性存储器对数据信息具有一定的保持能力，即在一个时间量期间，预定数据将被适当地存储，从而可以从非易失性存储器单元获取该数据值。但是，对于非易失性存储器的被编程(program)的存储单元而言，由于该单元自身内部缺陷或者宇宙射线等因素的影响，会造成浮栅漏电，而浮栅中存储的电荷量直接决定了该存储单元的阈值电压，同时该存储单元的阈值电压决定了在存储单元中存储的数据是“0”还是“1”。因此，随着时间的推移，由于浮栅中存储电荷的流失，会导致被编程的存储单元的阈值电压逐渐降低。最终，该单元中的数据将由“0”变为“1”。这样，下次再进行读操作时，就会出现误读现象，从而使非易失性存储器的可靠性降低。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种非易失性存储器的恢复方法和装置，以提高非易失性存储器的可靠性。第一方面，本专利技术实施例提供了一种非易失性存储器的恢复方法，该方法包括：根据数据恢复指令确定待恢复存储单元的起始地址和待恢复范围；根据所述起始地址在所述非易失性存储器中确定待处理的当前存储单元；对所述当前存储单元进行数据校验；如果校验失败则对所述当前存储单元进行数据恢复并按照设定顺序更新当前地址，如果校验成功则按照设定顺序更新当前地址；将当前地址对应的存储单元确定为当前存储单元，并返回执行所述数据校验的操作，直到遍历完整个待恢复范围内的存储单元。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种非易失性存储器的恢复装置，该装置包括：地址确定模块，用于根据数据恢复指令确定待恢复存储单元的起始地址和待恢复范围；存储单元确定模块，用于根据所述起始地址在所述非易失性存储器中确定待处理的当前存储单元；数据校验模块，用于对所述当前存储单元进行数据校验；数据恢复模块，用于如果校验失败则对所述当前存储单元进行数据恢复，并触发地址更新模块动作，如果校验成功则直接触发地址更新模块动作；地址更新模块，用于按照设定顺序更新当前地址；单元更新模块，用于将当前地址对应的存储单元确定为当前存储单元，并返回执行所述数据校验的操作，直到遍历完整个待恢复范围内的存储单元。本专利技术通过一种非易失性存储器的恢复方法，根据数据恢复指令确定出待恢复存储单元的起始地址和待恢复范围，进而确定出该非易失性存储器中待处理的当前存储单元。接着对当前存储单元进行数据校验，如果校验失败，则对当前存储单元进行数据恢复。如果校验成功，则按照设定顺序更新当前地址，然后通过循环操作进行数据校验，直到遍历完整个待恢复范围的存储单元，进而提高该非易失性存储器的可靠性。附图说明图1为本专利技术实施例一提供的一种非易失性存储器的恢复方法的流程示意图；图2为本专利技术实施例二提供的一种非易失性存储器的恢复方法的流程示意图；图3为本专利技术实施例三提供的一种非易失性存储器的恢复装置结构框图；图4为本专利技术实施例一提供的一种非易失性存储器的恢复方法的电压曲线示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。实施例一图1为本专利技术实施例一提供的一种非易失性存储器的恢复方法的流程示意图，该方法可以由非易失性存储器的恢复装置来执行，其中，该装置可由硬件和/或软件来实现，具体包括如下步骤：步骤101、根据数据恢复指令确定待恢复存储单元的起始地址和待恢复范围。在本实施例中，数据恢复指令是由应用非易失性存储器的外部处理器设备或者该非易失性存储器中内部控制逻辑单元设定的，触发非易失性存储器进入数据恢复程序或实现数据恢复的指令。其中，待恢复存储单元的起始地址可以是任意存储单元的地址作为起始地址，优选为待恢复范围的最小地址或最大地址，待恢复范围优选为所述非易失性存储器的全部地址范围，这样方便遍历整个存储器。步骤102、根据起始地址在非易失性存储器中确定待处理的当前存储单元。具体的，待处理的存储单元可以是一个存储单元，也可以是由几个存储单元组成的存储块。示例性的，若为一个存储单元，则起始地址为该存储单元的最小地址或最大地址；若为一个存储块，则起始地址为该存储块的首地址或最大地址。步骤103、对所述当前存储单元进行数据校验，并判断校验是否成功，若是，则执行步骤104；否则，执行步骤105。随着使用时间的延续，非易失性存储器的存储阵列中数据为0的存储单元的阈值电压会不断的减少，当减少到一定值，就很难读取到正确数据了。但当存储单元中的阈值电压减少到一定值时，虽不能读取到数据，或很难读取到存储单元记录的数据，但是这时的阈值电压相对于数据为1的存储单元的阈值电压仍有一定的区别，进而可以通过选定一定的阈值通过和参考单元比较将其判定出来，即对存储单元进行数据校验。示例性的，对所述当前存储单元进行数据校验方法，包括：将当前存储单元的阈值电压与第一阈值和第二阈值进行比较，其中第二阈值大于第一阈值；如果阈值电压大于第一阈值且小于第二阈值，则所述当前存储单元校验失败，否则校验成功。具体的，第一阈值可以通过预先选定一个第一参考存储单元来设定。其中，设定的第一阈值是指当第一参考存储单元的阈值电压大于第一阈值时该第一参考存储单元能够被作为数据为0的存储单元。例如，对于当前待处理的存储单元而言，将其与第一参考存储单元的第一阈值进行比较，若当前待处理的存储单元的阈值电压大于第一阈值，则接着进行与第二阈值的比较。具体的，第二阈值可以通过预先选定一个第二参考存储单元来设定。其中，第二阈值大于第一阈值。当数据为0的存储单元的阈值低于第二阈值时，则此数据为0的存储单元随着浮栅中电荷的丢失或者其自身内部缺陷等原因，会影响下一步的读操作或者有影响读操作的趋势。例如，对于当前待处理的存储单元而言，将其与第二参考存储单元的第二阈值进行比较，如果当前待处理的存储单元的阈值电压小于第二阈值，则认为该存储单元校验失败。具体的，如果当前待处理的存储单元分别与第一阈值和第二阈值比较后，如果当前待处理的存储单元的阈值电压小于第一阈值，则说明该存储单元是被擦除的存储单元，其存储的数据为1；如果当前待处理的存储单元的阈值电压大于第二阈值，则说明该存储单元是被编程的存储单元，其存储的数据为0。这两种情况都表示该当前待处理的存储单元处于稳定状态，不需要进行数据恢复，同时这两种情况都表示数据校验成功。优选的，如图4所示，通过选定第一参考单元和第二参考单元后，对目标单元地址先后加入读电压(表示第一阈值)和Verify电压(表示第二阈值)，将其与目标单元的阈值电压相比较，比较结果分别记为V1和V2。若目标单元位于第一个抛物线401内，则该目标单元的阈值电压为A1～A2，从图中可以看出，所加读电压和Verify电压都大于该目标单元的阈值电压，则说明该单元是稳定的单元，不需要进行恢复，同时也表明校验成功，所以比本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器的恢复方法，其特征在于，包括：根据数据恢复指令确定待恢复存储单元的起始地址和待恢复范围；根据所述起始地址在所述非易失性存储器中确定待处理的当前存储单元；对所述当前存储单元进行数据校验；如果校验失败则对所述当前存储单元进行数据恢复并按照设定顺序更新当前地址，如果校验成功则按照设定顺序更新当前地址；将当前地址对应的存储单元确定为当前存储单元，并返回执行所述数据校验的操作，直到遍历完整个待恢复范围内的存储单元。

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器的恢复方法，其特征在于，包括：根据数据恢复指令确定待恢复存储单元的起始地址和待恢复范围；根据所述起始地址在所述非易失性存储器中确定待处理的当前存储单元；对所述当前存储单元进行数据校验；如果校验失败则对所述当前存储单元进行数据恢复并按照设定顺序更新当前地址，如果校验成功则按照设定顺序更新当前地址；将当前地址对应的存储单元确定为当前存储单元，并返回执行所述数据校验的操作，直到遍历完整个待恢复范围内的存储单元。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，按照设定顺序更新当前地址包括：在当前存储单元地址进行单元地址的累计，以更新所述当前地址；其中，所述起始地址为待恢复范围的最小地址或最大地址，所述待恢复范围为所述非易失性存储器的全部地址范围。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述当前存储单元进行数据校验，包括：将当前存储单元的阈值电压与第一阈值和第二阈值进行比较，其中第二阈值大于第一阈值；如果阈值电压大于第一阈值且小于第二阈值，则所述当前存储单元校验失败，否则校验成功。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述当前存储单元进行数据恢复，包括：对所述当前存储单元的栅极和漏极施加设定电压，以将所述当前存储单元的阈值电压恢复至大于第二阈值。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：根据所述非易失性存储器的使用时间和空闲状态，产生所述数据恢复指令。6.根据权利要求1-5任一所述的恢复方法，其特征在于，对所述当前存储单元进行数据校验或数据恢复的过程中，还包括：如果识别到中断触发事件，则产生中断指令；根据所述中断指令，记录当前存储单元对应的当前地址作为中断地址，并停止当前的数据校验和恢复操作；在所述中断指令对应的中断触发事件完成时，读取所述中断地址以获取对应的存储单元，作为当前存储单元，返回执行所述数据校验的操作。7.一种非易失性存储器的恢复装置，其特征在于，包括：地址确定模块，用于根据数据恢复指令确定待恢复存储单元的起始地址...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛子恒，潘荣华，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11