The invention provides a resistive memory and a manufacturing method thereof, wherein the resistive memory includes a first electrode, a second electrode, a variable resistance layer, an oxygen exchange layer, and a protective layer. The first electrode is opposed to the second electrode. A variable resistance layer is disposed between the first electrode and the second electrode. The oxygen exchange layer is disposed between the variable resistance layer and the second electrode. The protective layer is disposed on the side wall of the oxygen exchange layer at least. The invention provides a resistive memory and a manufacturing method thereof, which can protect the sidewall of a memory cell to avoid resetting failure, thereby enhancing the high temperature data retention capability.
【技术实现步骤摘要】
电阻式存储器及其制造方法
本专利技术涉及一种存储器及其制造方法,尤其涉及一种电阻式存储器及其制造方法。
技术介绍
近年来电阻式存储器(诸如电阻式随机存取存储器(ResistiveRandomAccessMemory,RRAM))的发展极为快速,是目前最受瞩目的未来存储器的结构。由于电阻式存储器具备低功耗、高速运作、高密度以及相容于互补式金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor,CMOS)工艺技术的潜在优势,因此非常适合作为下一世代的非挥发性存储器元件。现行的电阻式存储器通常包括相对配置的上电极与下电极以及位于上电极与下电极之间的介电层。当对现行的电阻式存储器进行操作前,首先需进行形成(forming)的程序,对电阻式存储器施加较高的正偏压,使得介电层中产生氧空缺(oxygenvacancy)或氧离子(oxygenion)而形成导电灯丝(filament)。在进行重置(reset)操作时,对电阻式存储器施加负偏压,使得导电灯丝断开。此时,邻近上电极处的氧空缺被重新填满(或者氧离子脱离电流路径),使得灯丝在邻近上电极处断开。另一方面,当对现行的电阻式存储器进行设定(set)操作时,对电阻式存储器施加正偏压,使得介电层中再次产生氧空缺或氧离子以重新形成导电灯丝。由于现有的RRAM的工艺是通过蚀刻工艺来定义出存储器单元(cell),在蚀刻工艺中的等離子步骤或是湿式清洁步骤中,容易在存储器单元的侧壁上形成悬浮键(danglingbond)。在进行重置的过程中,上述悬浮键会与氧空缺或氧离子结合,进而导致重置失败(res ...
【技术保护点】
一种电阻式存储器,其特征在于,包括:相对配置的第一电极与第二电极;可变电阻层,配置于所述第一电极与所述第二电极之间;氧交换层,配置于所述可变电阻层与所述第二电极之间;以及保护层,至少配置于所述氧交换层的侧壁上。
【技术特征摘要】
1.一种电阻式存储器,其特征在于,包括:相对配置的第一电极与第二电极;可变电阻层,配置于所述第一电极与所述第二电极之间;氧交换层,配置于所述可变电阻层与所述第二电极之间;以及保护层,至少配置于所述氧交换层的侧壁上。2.根据权利要求1所述的电阻式存储器,其特征在于,所述保护层的材料包括高介电常数材料。3.根据权利要求1所述的电阻式存储器,其特征在于,还包括第一介电层,配置于所述保护层的侧壁上。4.根据权利要求3所述的电阻式存储器,其特征在于,所述保护层还延伸至所述氧交换层与所述可变电阻层之间以及所述第一介电层的顶面。5.根据权利要求1所述的电阻式存储器,其特征在于,还包括阻挡层配置于所述氧交换层与所述第二电极之间。6.一种电阻式存储器的制造方法,其特征在于,包括:形成相对配置的第一电极与第二电极;形成可变电阻层于所述第一电极与所述第二...
【专利技术属性】
技术研发人员:许博砚,沈鼎瀛,何家骅,傅志正,陈达,
申请(专利权)人:华邦电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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