【技术实现步骤摘要】
本专利技术有关于快闪存储器，特别是有关于一种存储器控制器及适应性快闪存储器编程方法。
技术介绍
1、快闪存储器可分为nor快闪存储器及nand快闪存储器，且两者均需要通过编程操作以将数据写入至快闪存储器中的存储器单元，且需通过抹除操作以将数据从快闪存储器中的存储器单元删除。然而，传统的存储器控制器在对快闪存储器进行编程验证操作时，往往仅使用单一的编程模式。对于已使用循环多次的快闪存储器来说，因为其存储器单元的阈值电压可能会产生变化且部分存储器单元的编程时间较长，故传统的存储器控制器往往需要花费较长的整体编程时间才能完成一个页面中的所有位元组(bytes)的编程验证操作，进而降低快闪存储器装置的效能。因此，需要一种存储器控制器及适应性快闪存储器编程方法以解决上述问题。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种存储器控制器，用以控制一快闪存储器。所述存储器控制器包括一控制电路及一电压产生器。所述控制电路用以依序编程所述快闪存储器中的一或多个页面，且各页面包括多个位元组。所述电压产生器用以依据来自所述控制电路的控制信号以调整输出电压。所述控制电路以页面编程模式对所述一或多个页面中的目前页面的各位元组进行编程验证操作，并且计算所述目前页面中所述编程验证操作失败并重新进行编程操作的所述多个位元组的第一数量。所述控制电路依据所述第一数量以决定所述目前页面的下一页面的编程模式为所述页面编程模式或位元组编程模式。
2、本专利技术还提供一种适应性快闪存储器编程方法，由一存储器控制器所执行，用
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1.一种存储器控制器，用以控制一快闪存储器，其特征在于，所述存储器控制器包括：
2.如权利要求1所述的存储器控制器，其特征在于，当所述第一数量大于一预定阈值时，所述控制电路决定所述下一页面的所述编程模式为所述页面编程模式，
3.如权利要求1所述的存储器控制器，其特征在于，所述电压产生器为一电荷帮浦，且所述电压产生器提供第一目标电压以进行所述多个位元组的所述编程验证操作，并提供第二目标电压以重新进行所述编程验证操作失败的所述多个位元组的所述编程操作，
4.如权利要求3所述的存储器控制器，其特征在于，在所述页面编程模式中，当所述编程验证操作失败的所述多个位元组的所述编程操作完成后，所述控制电路控制所述电压产生器放电以将所述电压产生器的输出电压从所述第二目标电压降低至所述第一目标电压。
5.如权利要求3所述的存储器控制器，其特征在于，在所述位元组编程模式中，所述控制电路将位元组地址信号设定为0，并逐一对所述下一页面的各位元组执行所述编程验证操作，
6.如权利要求5所述的存储器控制器，其特征在于，当所述下一页面的各位元组均已执行
7.如权利要求6所述的存储器控制器，其特征在于，因应于所述位元组地址信号的目前位元组不等于特定数值，所述控制电路对所述目前位元组重新进行所述编程操作、并将所述第一数量加1。
8.一种适应性快闪存储器编程方法，其特征在于，由一存储器控制器所执行，用以编程一快闪存储器，其中所述存储器控制器包括一控制电路及一电压产生器，所述方法包括：
9.如权利要求8所述的适应性快闪存储器编程方法，其特征在于，还包括：
10.如权利要求8所述的适应性快闪存储器编程方法，其特征在于，所述电压产生器为一电荷帮浦，且所述方法还包括：
11.如权利要求10所述的适应性快闪存储器编程方法，其特征在于，还包括：
12.如权利要求10所述的适应性快闪存储器编程方法，其特征在于，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种存储器控制器，用以控制一快闪存储器，其特征在于，所述存储器控制器包括：
2.如权利要求1所述的存储器控制器，其特征在于，当所述第一数量大于一预定阈值时，所述控制电路决定所述下一页面的所述编程模式为所述页面编程模式，
3.如权利要求1所述的存储器控制器，其特征在于，所述电压产生器为一电荷帮浦，且所述电压产生器提供第一目标电压以进行所述多个位元组的所述编程验证操作，并提供第二目标电压以重新进行所述编程验证操作失败的所述多个位元组的所述编程操作，
4.如权利要求3所述的存储器控制器，其特征在于，在所述页面编程模式中，当所述编程验证操作失败的所述多个位元组的所述编程操作完成后，所述控制电路控制所述电压产生器放电以将所述电压产生器的输出电压从所述第二目标电压降低至所述第一目标电压。
5.如权利要求3所述的存储器控制器，其特征在于，在所述位元组编程模式中，所述控制电路将位元组地址信号设定为0，并逐一对所述下一页面的各位元组执行所述编程验证操作，
6.如权利要求5所述的存储器控...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄仲盟，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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