采用N沟道和P沟道MOS晶体管的模拟浮动栅极存储器制造工艺制造技术

本发明专利技术涉及集成电路中模拟浮动栅极电极及其制造方法，其中捕获的电荷可被长时间存储。该模拟浮动栅极电极在多晶硅栅极水平形成，其整个长度为n型掺杂，并包括用作n沟道和p沟道MOS晶体管的栅极电极的部分；金属-多晶硅存储电容器极板；和多晶硅-有源隧穿电容器极板。p沟道MOS晶体管包括设置其源极区域和漏极区域之间的掩埋沟道区域，该沟道区域由离子注入形成。硅化物阻挡二氧化硅阻挡在电极上的硅化物覆层的形成，同时集成电路中其他多晶硅结构是硅化物覆层。

【技术实现步骤摘要】
采用N沟道和P沟道MOS晶体管的模拟浮动栅极存储器制造工艺
本专利技术涉及半导体集成电路领域。本专利技术的实施例更具体地针对应用于晶体管栅极的存储模拟电平的结构。
技术介绍
半导体集成电路的重要一类是采用模拟电路功能的那些电路，其中输入和输出信号和信息被同样地通信和处理。模拟电路功能在多个不同领域中是重要的，如仪表和控制系统，音频应用，大规模电子系统的功率管理，通信功能，电机控制功能(如在硬盘驱动器中)等等。某些集成电路，例如接口电路，如模拟数字转换器(ADC)和数字模拟转换器(DAC)，包括模拟功能和数字功能。通常，模拟集成电路功能依赖于芯片上建立和调节的参考电平(电压和电流)。这些参考电平通常涉及这类功能，如信号测量、信号调节、转换和接口功能(ADC和DAC)等等。模拟集成电路的适当功能，且特别是对电源电压、温度和其他操作条件的变化下的这种功能，通常严重依赖于在这种变化下参考电压和电流的稳定性。此外，反映在集成电路物理参数中的制造变化可影响这些集成电路中生成的参考电平。因此，许多模拟集成电路包括“修整”或调解片上精度参考电路以及这些集成电路内其它电路功能的某些能力。修整通常是在被本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在基体的半导体表面形成的集成电路，其包括用于模拟半导体集成电路的电气可编程电容器结构，所述集成电路包括：在所述半导体表面的多个有源区域；设置在所述半导体表面的多个有源区域上的栅极介电膜；第一多晶硅电极，其在其整个长度上被掺杂为第一导电类型，并设置在所述栅极介电体上且在所述多个有源区域上延伸；电容器介电膜，其在所述第一多晶硅电极上；以及第一导电极板，其包括金属并在导体水平形成，所述第一导电极板设置在所述第一多晶硅电极的一部分之上，且所述电容器介电膜位于所述第一导电极板和所述第一多晶硅电极的一部分之间；其中所述多个有源区域的第一有源区域包括：与所述第一导电类型相对的第二导电类型的第一源极/漏极...

【技术特征摘要】
2012.02.28 US 13/406,7041.一种在基体的半导体表面形成的模拟浮动栅极电路，其包括用于模拟半导体集成电路的电气可编程电容器结构，所述模拟浮动栅极电路包括：在所述模拟浮动栅极电路的半导体表面的多个有源区域；设置在所述半导体表面的所述多个有源区域上的栅极介电膜；第一多晶硅电极，其在其整个长度上被掺杂为第一导电类型，并设置在所述栅极介电膜上且在所述多个有源区域上延伸；电容器介电膜，其在所述第一多晶硅电极上；以及第一导电极板，其包括金属并在导体水平形成，所述第一导电极板设置在所述第一多晶硅电极的一部分之上，且所述电容器介电膜位于所述第一导电极板和所述第一多晶硅电极的一部分之间；其中所述多个有源区域的第一有源区域包括：与所述第一导电类型相对的第二导电类型的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，其设置在所述第一多晶硅电极在其上延伸的部分的相对侧上的所述第一有源区域的表面；以及沟道区域，其设置在所述第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间，并在所述第一多晶硅电极和栅极介电膜下面，所述沟道区域具有所述第一导电类型的表面部分和设置在所述第一多晶硅电极下面的选择的深度的所述第二导电类型的掩埋部分；并且其中所述多个有源区域的第二有源区域由以下构成，所述第一多晶硅电极设置在所述第二有源区域的一部分之上：第一导电类型的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，其设置在所述第一多晶硅电极在其上延伸的部分的相对侧上的所述第二有源区域的表面；以及设置在所述第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之间并在所述第一多晶硅电极和栅极介电膜下面的所述第二导电类型的沟道区域。2.根据权利要求1所述的模拟浮动栅极电路，其中所述第一导电类型是n型，而所述第二导电类型是p型。3.根据权利要求2所述的模拟浮动栅极电路，其中所述第一多晶硅电极在第三有源区域和第四有源区域上延伸，其中所述栅极介电膜设置在所述第三有源区域和所述第四有源区域之间，从而分别形成第一隧道电容器和第二隧道电容器。4.根据权利要求3所述的模拟浮动栅极电路，进一步包括：在所述第三有源区域的表面的n型源极和漏极掺杂区域，其设置在所述第一多晶硅电极的相对侧上的位置；以及在所述第四有源区域的表面的p型源极和漏极掺杂区域，其设置在所述第一多晶硅电极的相对侧上的位置。5.根据权利要求1所述的模拟浮动栅极电路，进一步包括：硅化物阻挡二氧化硅，其设置在所述第一多晶硅电极上；第二多晶硅电极，其至少具有被金属硅化物覆层的部分，并且由和所述第一多晶硅电极相同的多晶硅层形成；其中所述电容器介电膜设置在所述第一多晶硅电极上的硅化物阻挡二氧化硅上。6.根据权利要求5所述的模拟浮动栅极电路，其中所述电容器介电膜设置在所述第二多晶硅电极的覆层部分上；并且所述模拟浮动栅极电路进一步包括：第二导电极板，其包括金属并在导体水平形成，所述第二导电极板设置在所述第二多晶硅电极的覆层部分上，且所述电容器介电膜位于所述第二导电极板和所述第二多晶硅电极的覆层部分之间。7.一种制造在基体的半导体表面形成的用于模拟浮动栅极电路的电气可编程电容器结构的方法，其包括的步骤有：在所述半导体表面的选择位置形成绝缘介电结构，所述绝缘介电结构限定...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·T·米切尔，I·M·卡恩，M·A·吴，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：