具有减小的栅极电阻的功率FET制造技术

在一种实施方式中，一种具有减小的栅极电阻的功率场效应晶体管(FET)包括漏极、源极、栅极，以及包括栅极焊盘、栅极高速通道和多个栅极总线的栅极触点。该栅极总线由具有第一厚度的第一金属层形成，而该栅极焊盘和栅极高速通道均包括金属堆叠，金属堆叠包括该第一金属层和第二金属层。该第二金属层具有明显大于该第一厚度的第二厚度，由此减小该功率FET的栅极电阻。

【技术实现步骤摘要】
201510939092

【技术保护点】
一种功率场效应晶体管(FET)，包括：漏极、源极和栅极；栅极触点，其包括栅极焊盘、栅极高速通道以及多个栅极总线；所述多个栅极总线由具有第一厚度的第一金属层形成；所述栅极焊盘和所述栅极高速通道均包括金属堆叠，所述金属堆叠包括所述第一金属层和第二金属层；所述第二金属层具有明显大于所述第一厚度的第二厚度，由此减小所述功率FET的栅极电阻。

【技术特征摘要】
2014.12.16 US 62/092,423;2015.12.01 US 14/956,1861.一种功率场效应晶体管(FET)，包括：
漏极、源极和栅极；
栅极触点，其包括栅极焊盘、栅极高速通道以及多个栅极总线；
所述多个栅极总线由具有第一厚度的第一金属层形成；
所述栅极焊盘和所述栅极高速通道均包括金属堆叠，所述金属堆
叠包括所述第一金属层和第二金属层；
所述第二金属层具有明显大于所述第一厚度的第二厚度，由此减
小所述功率FET的栅极电阻。
2.根据权利要求1所述的功率FET，其中所述第二厚度至少比所
述第一厚度大三倍。
3.根据权利要求1所述的功率FET，其中所述第一金属层和第二
金属层包括相同的金属。
4.根据权利要求1所述的功率FET，其中所述第一金属层和所述
第二金属层中的至少一个包括铝。
5.根据权利要求1所述的功率FET，其中所述第一金属层和所述
第二金属层中的至少一个包括铝硅。
6.根据权利要求1所述的功率FET，其中所述第一金属层和所述
第二金属层中的至少一个包括铜。
7.根据权利要求1所述的功率FET，进一步包括源极触点，所述
源极触点由所述第二金属层形成并且位于所述多个栅极总线上并且
与所述多个栅极总线电隔离。
8.根据权利要求1所述的功率FET，其中所述功率FET是竖直
IV族FET。
9.根据权利要求1所述的功率FET，其中所述功率FET是竖直
硅质FET。
10.根据权利要求1所述的功率FET，其中所述功率FET被实施
为功率转换器的控制FET和同步FET中的至少一种。
11.一种竖直功率场效应晶体管(...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·洛利奥，T·D·亨森，马玲，H·奈克，N·兰简，
申请(专利权)人：英飞凌科技美国公司，
类型：发明
国别省市：美国;US