通过源极分割增加正向偏置安全操作区制造技术

本公开涉及通过源极分割增加正向偏置安全操作区。例如，一种功率器件，包括：两个栅极条，形成在器件的上表面上；源极条周界，包括两个栅极条和对应源极条之间的总可用共享周界；以及分段源极，形成在两个栅极条之间，其中分段源极的边缘长度覆盖源极条周界的5％到95％之间。

Increasing forward biased safe operation area by source segmentation

【技术实现步骤摘要】
通过源极分割增加正向偏置安全操作区
本专利技术总体上涉及用于增加正向偏置安全操作区(“FBSOA”)的器件和方法。
技术介绍
图1示出了FBSOA100作为各种限制曲线下的面积。例如，FBSOA受到最大电流限制102的限制。FBSOA也受到最大功率限制的限制。示出了100μs(104)、1ms(106)、10ms(108)和DC(110)的功率限制曲线。图1中还示出了热不稳定性限制曲线112和RDS(on)限制曲线116。一般来说，在线性模式应用以及在设计和使用通过场效应晶体管(FET)时，FBSOA是重要的考虑因素。N沟道金属氧化物半导体FET(MOSFET)通常用于开关应用，因此FBSOA被牺牲用于RDS(on)和其他参数。P沟道MOSFET通常用于线性模式应用，因此FBSOA也是这些器件的重要参数。FBSOA很难得到显著改善。FBSOA通过涉及电荷热失衡的复杂事件链确定，在低于零温度系数点的电流水平下通过正反馈放大。存在器件的漏电流和跨导与温度无关的偏置点。这种点被称为零温度系数(ZTC)偏置点。电气特性的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种器件，包括：/n至少两个栅极条，形成在所述器件的上表面上；/n源极条周界，包括所述至少两个栅极条和对应源极条之间的总可用共享周界；以及/n分段源极，形成在所述至少两个栅极条之间，其中所述分段源极的边缘长度覆盖所述源极条周界的5％到95％之间。/n

【技术特征摘要】
20181023 US 16/167,9151.一种器件，包括：
至少两个栅极条，形成在所述器件的上表面上；
源极条周界，包括所述至少两个栅极条和对应源极条之间的总可用共享周界；以及
分段源极，形成在所述至少两个栅极条之间，其中所述分段源极的边缘长度覆盖所述源极条周界的5％到95％之间。


2.根据权利要求1所述的器件，其中所述分段源极包括部分单侧源极。


3.根据权利要求1所述的器件，其中所述分段源极包括方格源极。


4.根据权利要求1所述的器件，其中所述分段源极包括不对称方格源极。


5.根据权利要求1所述的器件，其中所述分段源极包括圆化方格源极。


6.根据权利要求1所述的器件，其中所述分段源极包括阶梯源极。


7.根据权利要求1所述的器件，其中所述分段源极包括不对称阶梯源极。


8.根据权利要求1所述的器件，其中所述分段源极包括圆化阶梯源极。


9.一种器件，包括：
多个同心源极分割区，从所述器件的中心延伸到所述器件的边缘，其中每个同心源极分割区均包括：
多个栅极条，形成在所述器件的上表面上，源极条周界包括所述多个栅极条的两个栅极条与对应源极条之间的总可用共享周界；以及
分段源极，形成在所述多个栅极条的两个栅极条之间，其中所述分段源极的边缘长度覆盖所述源极条周界的百分比，所述百分比根据所述同心源极分割区与所述器件的中...

【专利技术属性】
技术研发人员：P·谢诺伊，
申请(专利权)人：英飞凌科技美国公司，
类型：发明
国别省市：美国;US