耗尽型栅极衬底凸出的P型MOS管的制造方法技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制造领域，具体涉及一种耗尽型栅极衬底凸出的P型MOS管的制作方法。
技术介绍
在现有技术中，MOS管的尺寸越做越小，耗尽型的P型MOS管的尺寸过小，则晶体管的栅极控制电流也很小，不易于调整，则控制精度很差。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术公开了一种耗尽型栅极衬底凸出的P型MOS管的制作方法。本专利技术的技术方案如下：一种耗尽型栅极衬底凸出的P型MOS管的制造方法，包括以下步骤：步骤1、在晶圆上之上进行磷离子注入过程，形成N型掺杂的硅衬底；步骤2、进行浅槽隔离工艺，刻蚀隔离槽，之后再隔离槽之内进行氧化物填充过程，最后进行氧化物平坦化的过程。步骤3、进行栅衬底凸出部分的刻蚀过程；首先在步骤2所得到的结构上，生长一层N型掺杂的硅，其高度与栅衬底凸出部分的高度相等；之后通过光刻胶将栅衬底部分覆盖；最后通过刻蚀技术，将除光刻胶之外的地方刻蚀。步骤4、进行P型掺杂层的注入，此步骤的注入过程为超浅结注入硼离子。步骤5、生长多晶硅栅；首先生长栅氧化层，之后沉积多晶硅，并通过光科技术将多晶硅栅部分覆盖，最后通过刻蚀技术，将除光刻胶之外的地方刻蚀。步骤6、形成侧墙；首先沉积一层二氧化硅，之后使用干法离子刻蚀技术除掉除去侧墙部分之外的二氧化硅。步骤7、进行源、漏注入工艺；注入硼离子，形成源极和漏极的P型掺杂区域。本专利技术的有益技术效果是：在本专利技术所述的方法生长的结构中，栅极的衬底向上凸出，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流(leakage)，也可以大幅缩短晶体管的闸长。且本专利技术增加了连接源区和...
【技术保护点】
一种耗尽型栅极衬底凸出的P型MOS管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在晶圆上之上进行磷离子注入过程，形成N型掺杂的硅衬底；步骤2、进行浅槽隔离工艺，刻蚀隔离槽，之后再隔离槽之内进行氧化物填充过程，最后进行氧化物平坦化的过程；步骤3、进行栅衬底凸出部分的刻蚀过程；首先在步骤2所得到的结构上，生长一层N型掺杂的硅，其高度与栅衬底凸出部分的高度相等；之后通过光刻胶将栅衬底部分覆盖；最后通过刻蚀技术，将除光刻胶之外的地方刻蚀；步骤4、进行P型掺杂层的注入，在栅衬底凸出部分之下注入硼离子，形成P型掺杂的超浅结；步骤5、生长多晶硅栅；首先生长栅氧化层，之后沉积多晶硅，并通过光科技术将多晶硅栅部分覆盖，最后通过刻蚀技术，将除光刻胶之外的地方刻蚀；步骤6、形成侧墙；首先沉积一层二氧化硅，之后使用干法离子刻蚀技术除掉除去侧墙部分之外的二氧化硅；步骤7、进行源、漏注入工艺；注入硼离子，形成源极和漏极的P型掺杂区域，且漏极和源极都与P型掺杂层相连通。
【技术特征摘要】
1.一种耗尽型栅极衬底凸出的P型MOS管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在晶圆上之上进行磷离子注入过程，形成N型掺杂的硅衬底；步骤2、进行浅槽隔离工艺，刻蚀隔离槽，之后再隔离槽之内进行氧化物填充过程，最后进行氧化物平坦化的过程；步骤3、进行栅衬底凸出部分的刻蚀过程；首先在步骤2所得到的结构上，生长一层N型掺杂的硅，其高度与栅衬底凸出部分的高度相等；之后通过光刻胶将栅衬底部分覆盖；最后通过刻蚀技术，将除光刻胶之外...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕耀安，
申请(专利权)人：无锡宏纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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