栅极结构及其制造方法技术

本发明专利技术揭露一种栅极结构及其制造方法。栅极结构包含至少一间隔层在一半导体基材上界定一栅极区域，一栅极介电层设置于该半导体基材栅极区域上，一第一功函数金属层设置于该栅极介电层上且铺设于该间隔层的一内侧壁的一底面，以及一填充金属，该填充金属部分由该第一功函数金属层包覆。该填充金属包含一第一部分以及一第二部分，其中该第一部分是介于该第二部分以及该半导体基材之间，该第二部分较第一部分宽广。

【技术实现步骤摘要】
栅极结构及其制造方法
本专利技术实施例是关于一种栅极结构，特别是一种包含功金属函数层的栅极结构。
技术介绍
随着科技节点逐渐缩小，在特定集成电路设计中，将多晶硅栅极电极以金属栅极电极取代可以改善装置效能又迎合较小的装置尺寸。利用金属栅极结构(例如包含一金属栅极电极而非多晶硅)提供了一种解决手段。在形成金属栅极堆叠的其中一个制程被称作为栅极后制(gatelast)制程，最终的栅极堆叠是在最后的制程中形成，使得相关的制程简化。除此之外，随着晶体管的大小减少，栅极氧化层的厚度也跟着栅极长度一并减少，以维持栅极功效。为了减少栅极漏电，会使用高介电系数的栅极绝缘层，使得栅极结构在体积更减缩的形态下，维持如较大体积的栅极相同的运作功效。
技术实现思路
根据本专利技术部分实施例提供栅极结构，栅极结构包含至少间隔层界定栅极区域于半导体基材上，栅极介电层设置于半导体基材的该栅极区域上，以及第一功函数金属层设置于介电栅极层且内衬间隔层内侧壁的底部部分。根据本专利技术部分实施例提供栅极结构，栅极结构包含至少间隔层界定栅极区域于半导体基材上，栅极介电层设置于半导体基材的该栅极区域上，第一功函数金属层设置于介电栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种栅极结构，其特征在于，包含：间隔层界定栅极区域于半导体基材上；栅极介电层设置于所述的半导体基材所述的栅极区域上；以及第一功函数金属层设置于所述的介电栅极层且内衬所述的间隔层内侧壁的底部部分。

【技术特征摘要】
2015.11.30 US 62/261,201;2016.10.13 US 15/293,2591.一种栅极结构，其特征在于，包含：间隔层界定栅极区域于半导体基材上；栅极介电层设置于所述的半导体基材所述的栅极区域上；以及第一功函数金属层设置于所述的介电栅极层且内衬所述的间隔层内侧壁的底部部分。2.根据权利要求1所述的栅极结构，其特征在于，所述的填充金属的第二部分超越所述的第一功函数金属层的顶端缘。3.根据权利要求1所述的栅极结构，其特征在于，所述的第一功函数金属层的顶端缘远离间隔层下降。4.根据权利要求1所述的栅极结构，其特征在于，还包含：第二功函数金属层设置于所述的第一功函数金属层以及所述的填充金属之间。5.根据权利要求4所述的栅极结构，其特征在于，所述的第二功函数金属层埋设于所述的填充金属下。6.一种栅极结构，其特征在于，包含：间隔层界定栅极区域于半导体基材上；栅极介电层设置于所述的半导体基材所述的栅极区域上；第一功函数金属层设置于所述的介电栅极层且内衬所述的间隔层内侧壁的多个部分，所述的第一功函数金属层具有倾斜边缘；以及填充金属部分被所述的第一功函数金属层包覆，所述的第一功函数金属层倾斜边...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢博文，谢文佳，罗以君，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71