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本发明揭露一种栅极结构及其制造方法。栅极结构包含至少一间隔层在一半导体基材上界定一栅极区域，一栅极介电层设置于该半导体基材栅极区域上，一第一功函数金属层设置于该栅极介电层上且铺设于该间隔层的一内侧壁的一底面，以及一填充金属，该填充金属部分由...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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