转移衬底的氮化镓基高电子迁移率晶体管制作的方法技术

一种转移衬底的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法，包括：在衬底上依次生长低温成核层、氮化镓高阻层、高迁移率氮化镓层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层和氮化镓帽层；在氮化镓帽层的表面制备硅、铜或氮化铝的第一导电衬底；将衬底与低温成核层分离；将氮化镓高阻层的表面磨抛平整；在氮化镓高阻层的表面制备硅、铜、氮化铝的第二导电衬底，将氮化镓基高电子迁移率晶体管转移到硅、铜、氮化铝的第二导电衬底上；把通过热压键合或电镀在氮化镓帽层上的第一导电衬底去除掉；在氮化镓帽层上面的两侧制作源、漏的欧姆接触电极；在氮化镓帽层上面的中间制作栅极的肖特基接触电极完成制备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，特别是指转移衬底的氮化镓基高电子迀移率晶体管制作的方法。该方法采用激光剥离的方法，把外延在蓝宝石衬底上氮化镓基高电子迀移率晶体管与蓝宝石衬底进行剥离，同时把剥离后的高电子迀移率晶体管用键合、电镀等方法转移到硅、铜、氮化铝等导电、导热性能优良的基板上。
技术介绍
微波晶体管的主要器件类型有同质结双极型晶体管(BJT)、异质结双极型晶体管(HBT)、金属半导体场效应晶体管(MESFET)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和高电子迀移率晶体管(HEMT)等。GaN材料的禁带宽度大(Eg = 3.4eV)，临界击穿场强(3.3MV/cm)较大，制作电子器件具有耐高温、高压的特点；它的电子饱和漂移速度达到2.5X107cm/s，适宜于制作高频电子器件；它与AlGaN材料形成的异质结构中可形成面密度高达113CnT2以上的二维电子气(2DEG)，且界面处电子迀移率接近2000cm2/V.s，完全符合在大电流状态下工作的功率器件要求；而且它的热导率> 1.3W/cm*K，较为利于功率器件的散热。GaN材料是制备高频、大功率微波晶体管的首选材本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种转移衬底的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上依次生长低温成核层、氮化镓高阻层、高迁移率氮化镓层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层和氮化镓帽层，形成氮化镓基高电子迁移率晶体管；步骤2：通过热压键合或电镀在氮化镓帽层的表面制备硅、铜或氮化铝的第一导电衬底；步骤3：通过激光剥离工艺，将衬底与低温成核层分离；步骤4：通过机械磨抛的方法，将与衬底分离后，暴露的氮化镓高阻层的表面磨抛平整；步骤5：通过热压键合或电镀工艺在氮化镓高阻层的表面制备硅、铜、氮化铝的第二导电衬底，将氮化镓基高电子迁移率晶体管转移到硅、铜、氮化铝的第二导电衬底上；步骤6：通过机械磨抛或者化学腐蚀的方法...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：纪攀峰，谢海忠，郭恩卿，马平，张韵，王军喜，李晋闽，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11