一种无结纳米线FinFET及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种无结纳米线FinFET半导体器件及其制作方法，所述方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成外延层；图案化所述外延层和部分所述半导体衬底，以形成鳍片结构以及位于所述鳍片结构上的纳米线结构；在所述鳍片结构和所述纳米线结构上形成栅极结构。根据本发明专利技术形成的无结纳米线FinFET半导体器件，当器件处于打开状态时的具有较大的电流，器件处于断开状态时的具有较小的电流，相对与FinFET性能得到极大的提高，相对于平面器件也具有更大的开-关比，整个工艺过程和现有工艺完全兼容，而且该晶体管的制备方法适合小尺寸的半导体衬底，其制作成本低于纳米线圆柱体全包围栅无结场效应晶体管的制作成本，因此该晶体管的制作过程更加简单，同时降低了工艺成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种无结纳米线FinFET的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成外延层；图案化所述外延层和部分所述半导体衬底，以形成鳍片结构以及位于所述鳍片结构上的纳米线结构；在所述鳍片结构和所述纳米线结构上形成栅极结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄新运，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31