陶瓷包覆碳纳米管的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种原位合成陶瓷包覆碳纳米管及其制备方法，该方法包括如下步骤：(1)碳源材料与催化剂源由碳纳米管合成炉顶部自上向下喷入还原性气氛的高温反应器腔内800～1500℃，碳源材料热解成高活性碳原子，在催化剂源热解形成的金属原子Ma的催化下形成碳纳米管；(2)在上述反应的同时，将陶瓷源溶液从合成炉底部自下向上喷入上述反应器腔内，陶瓷源形成纳米陶瓷粒子、沉积在新生的碳纳米管表面，生成陶瓷包覆碳纳米管。本发明专利技术提供的陶瓷包覆碳纳米管的制备方法，既避免了碳纳米管生成后的自身团聚，又实现了陶瓷与碳纳米管在纳米尺度的均匀分散。而且陶瓷包覆的碳纳米管更易于分散使用，无需后序处理和加工，有利于保持原生碳纳米管的结构和特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及材料
，具体涉及一种原位(in-situ)合成陶瓷包覆碳纳米管的制备方法。
技术介绍
碳纳米管是由碳原子形成的石墨烯片层卷成的无缝、中空的管体，它具有极高的轴向强度和很高的弹性模量，长径比大、比表面大、高温稳定、减摩耐磨性好、导热性良好，因此可用来被广泛用于制造高强度、稳定性好的纳米新型复合材料。为了充分发挥碳纳米管在复合材料中的优异性能，需要对碳纳米管进行有效分散。近年来，对于提高碳纳米管的分散性的研究主要集中在后处理上，通过包括球磨混合、表面化学镀等手段，减轻碳纳米管自身的团聚程度，并将其均匀的分散在基体材料中。而相对均匀分散的碳纳米管在金属基体中的增强作用非常明显，材料的抗拉强度、屈服强度、硬度、耐磨性等性能均得到明显提升。但高速球磨容易损伤碳纳米管结构，低速球磨打开碳纳米管团聚效率较低，而化学镀工序复杂，镀层中不可避免地含有其它杂质(如钯等)，而且由于加工成本高，质量难以控制等原因，以上方法均未能大规模应用于工业化生产。
技术实现思路
本专利技术针对上述问题，提供一种原位(in-situ)合成陶瓷包覆碳纳米管及其制备方法。在碳纳米管合成炉内，在合成碳纳米管的同时生成纳米陶瓷粒子并均匀沉积在碳纳米管表面，形成陶瓷包覆碳纳米管，原位(in-situ)实现碳纳米管与陶瓷粒子的纳米级均匀分散。本专利技术第一方面提供一种原位(in-situ)合成陶瓷包覆碳纳米管的制备方法，其包>括如下步骤：(1)碳源材料与催化剂源由碳纳米管合成炉顶部、自上向下喷入充满还原性气氛的高温反应器腔内800～1500℃，碳源材料热解成高活性碳原子，在催化剂源热解形成的金属原子Ma的催化下形成碳纳米管；(2)在上述反应过程进行的同时，将陶瓷源溶液从合成炉底部、自下向上喷入上述反应器腔内，陶瓷源形成纳米陶瓷粒子沉积在新生的碳纳米管表面，原位(in-situ)生成陶瓷包覆碳纳米管。优选地，所述碳源材料选自甲醇、乙醇、苯或甲苯等碳氢或碳氢氧化合物中的一种或两种以上的混合。优选地，所述还原气氛包含氢气、一氧化碳或氨气中的一种或几种；或上述还原性气体与惰性气体的混合气，其中惰性气为氩气或氮气中的一种或混合气。优选地，所述催化剂源选自金属无机盐或金属有机化合物。所述金属无机盐选自硫酸亚铁、硝酸钼或氯化钨中的一种或两种以上的混合；所述金属有机化合物选自草酸钴、乙酰丙酮镍或二茂铁中的一种或两种以上的混合。优选地，所述陶瓷源选自金属无机盐或有机化合物；所述金属无机盐选自硝酸铝、硝酸镁或硝酸锆中的一种或两种以上的混合；所述有机化合物选自甲基硅油、乙基硅油、或苯基硅油中的一种或两种以上的混合。优选地，所述反应器腔内的温度为1000～1200℃。优选地，碳源材料与催化剂源混合后由碳纳米管合成炉顶部的一根输入管内自上向下喷入充满还原性气氛的高温反应器腔内。本专利技术的第二方面提供一种原位(in-situ)合成陶瓷包覆碳纳米管，其由下列步骤制备得到：(1)碳源材料与催化剂源由碳纳米管合成炉顶部、自上向下喷入充满还原性气氛的高温反应器腔内800～1500℃，碳源材料热解成高活性碳原子，在催化剂源热解形成的金属原子Ma的催化下形成碳纳米管；(2)在上述反应过程进行的同时，将陶瓷源溶液从合成炉底部、自下向上喷入上述反应器腔内，陶瓷源形成纳米陶瓷粒子、沉积在新生的碳纳米管表面，原位生成陶瓷包覆碳纳米管。优选地，所述陶瓷包覆碳纳米管的碳管直径为5～100nm，在碳纳米管表面包覆的陶瓷厚度为1～100nm，碳/陶瓷重量比为0.1～1.0。优选地，所述陶瓷为二氧化硅、氧化锆中的一种或二者的混合物。本专利技术的一种原位(in-situ)合成陶瓷包覆碳纳米管及其制备方法，在同一反应器内，通过CVD法合成碳纳米管的同时，将陶瓷粒子沉积在碳纳米管表面形成均匀分布的陶瓷涂层。本专利技术提供的陶瓷包覆碳纳米管的制备方法，既避免了碳纳米管生成后的自身团聚，又实现了陶瓷与碳纳米管在纳米尺度的均匀分散。本专利技术采用的原位(in-situ)合成法生产效率更高，新生的纳米陶瓷粒子与新生的碳纳米管结合更牢固，合成过程不引入其它杂质，而且陶瓷包覆的碳纳米管更易于分散使用，无需后序处理和加工，有利于保持原生碳纳米管的结构和特点。附图说明图1为本专利技术制备陶瓷包覆碳纳米管的合成方法示意图，图2为本专利技术实施例1所示氧化锆陶瓷包覆碳纳米管(氧化锆含量68％)XRD曲线，图3为本专利技术实施例1所示氧化锆陶瓷包覆碳纳米管的微观形貌。其中，1为合成炉，2为收料口。具体实施方式以下结合附图描述本专利技术具体实施方式。实施例1在氢、氮混合气保护下，炉升温至800～1500℃，将二茂铁的甲醇溶液(0.10mol/L铁)从合成炉顶部喷入合成炉，同时将硝酸锆的乙醇溶液(1.0mol/L锆)从合成炉底部喷口喷入合成炉，二茂铁的甲醇溶液的加料速度/硝酸锆的乙醇溶液的加料速度为1/7，即可得到氧化锆/碳重量比为2的陶瓷包覆碳纳米管。图2为上述产品的XRD检测结果，证明产品中含氧化锆约68％，含碳纳米管约32％，氧化锆的粒子大小20～50nm。图3为产品扫描电子显微镜检测结果，氧化锆均匀包覆的碳纳米管，形成直径50～150nm的陶瓷包覆碳纳米管，碳纳米管之间无明显团聚。实施例2在氢、氮混合气保护下，炉升温至800～1500℃，将硫酸亚铁的甲醇溶液(0.10mol/L铁)从合成炉顶部喷入合成炉，同时将甲基硅油从合成炉底部喷口喷入合成炉，硫酸亚铁的甲醇溶液的加料速度/甲基硅油的加料速度为1/14，即可得到氧化锆/碳重量比为2的陶瓷包覆碳纳米管。实施例3在氢、氮混合气保护下，炉升温至800～1500℃，将氯化钨的甲醇溶液(0.10mol/L钨)从合成炉顶部喷入合成炉，同时将硝酸铝的水溶液(1.0mol/L铝)从合成炉底部喷口喷入合成炉，氯化钨的甲醇溶液的加料速度/硝酸铝的水溶液的加料速度为2/17，即可得到氧化锆/碳重量比为2的陶瓷包覆碳纳米管。以上显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实例的限制，上述实例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种陶瓷包覆碳纳米管的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：(1)碳源材料与催化剂源由碳纳米管合成炉顶部、自上向下喷入充满还原性气氛的高温反应器腔内800～1500℃，碳源材料热解成高活性碳原子，在催化剂源热解形成的金属原子Ma的催化下形成碳纳米管；(2)在上述反应过程进行的同时，将陶瓷源溶液从合成炉底部、自下向上喷入上述反应器腔内，陶瓷源形成纳米陶瓷粒子、沉积在新生的碳纳米管表面，原位生成陶瓷包覆碳纳米管。

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷包覆碳纳米管的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：
(1)碳源材料与催化剂源由碳纳米管合成炉顶部、自上向下喷入充满还原性气氛
的高温反应器腔内800～1500℃，碳源材料热解成高活性碳原子，在催化剂源热解形成的
金属原子Ma的催化下形成碳纳米管；
(2)在上述反应过程进行的同时，将陶瓷源溶液从合成炉底部、自下向上喷入上
述反应器腔内，陶瓷源形成纳米陶瓷粒子、沉积在新生的碳纳米管表面，原位生成陶瓷
包覆碳纳米管。
2.根据权利要求1的制备方法，其特征在于，所述碳源材料选自甲醇、乙醇、苯或
甲苯中的一种或两种以上的混合；所述还原气氛选自氢气、一氧化碳或氨气中的一种或
几种。
3.根据权利要求1或2的制备方法，其特征在于，所述还原气氛为还原性气体与惰
性气体的混合气体。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述催化剂源选自金属无机盐...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖伟，李峰，李红，董明，
申请(专利权)人：苏州赛福德备贸易有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32