【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体结构，包括：一衬底；一第一叠层结构，形成于该衬底上，其中该第一叠层结构包括一导电结构和一绝缘结构，该导电结构是设置邻接于该绝缘结构；以及一第一导电层，形成于该衬底上并围绕该第一叠层结构的两侧壁和部份顶部，以暴露出该第一叠层结构的一部分。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈士弘，吕函庭，施彦豪，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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