温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及集成电路中模拟浮动栅极电极及其制造方法，其中捕获的电荷可被长时间存储。该模拟浮动栅极电极在多晶硅栅极水平形成，其整个长度为n型掺杂，并包括用作n沟道和p沟道MOS晶体管的栅极电极的部分；金属-多晶硅存储电容器极板；和多晶硅-有源隧...
该专利属于德克萨斯仪器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德克萨斯仪器股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。