一种基于电流比较的位扫描方法和系统技术方案

本发明专利技术提供了一种基于电流比较的位扫描方法和系统，其中，所述方法包括：接收待检测电流的输入；获取所述待检测电流经由第一支路输出的第一输出结果；其中，所述第一输出结果根据所述待检测电流与所述第一支路中的NMOS管输出的第一电流之间的差值确定；若根据所述第一输出结果确定所述编程失败，则返回重新接收所述待检测电流的输入；获取所述待检测电流经由第二支路输出的第二输出结果；其中，所述第二输出结果根据所述待检测电流与所述第二支路中的电流控制模块输出的第二电流之间的差值确定；根据所述第二输出结果确定编程失败的位数。通过本发明专利技术解决了目前位扫描检测精度低、准确性差的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电路检测
，特别是涉及一种基于电流比较的位扫描方法和系统。
技术介绍
为了确保NANDFLASH的数据正确性和防止存储单元过编程，通常需要对编程结果进行检测，以确定编程是否成功。目前，对编程结果的检测方式如下：先采用一个相对较小的编程电压进行编程，然后通过检测将首次编程后的结果分为三类：编程成功、编程阈值电压不满足要求，编程失败。根据检测结果，编程失败的存储单元采用更高的电压重新编程。然而，现有的方法检测精度较低，不能精确的检测出具体编程失败的位数，难以准确判断电子器件是否可以正常使用，例如，部分电子器件可以允许一定数量bit失败的编程结果，通过其他补偿方式来正常工作。
技术实现思路
本专利技术提供一种基于电流比较的位扫描方法和系统，以解决目前位扫描检测精度低、准确性差的问题。为了解决上述问题，本专利技术公开了一种基于电流比较的位扫描方法，包括：接收待检测电流的输入；获取所述待检测电流经由第一支路输出的第一输出结果；其中，所述第一输出结果根据所述待检测电流与所述第一支路中的NMOS管输出的第一电流之间的差值确定；若根据所述第一输出结果确定所述编程失败，则返回重新接收本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于电流比较的位扫描方法，其特征在于，包括：接收待检测电流的输入；获取所述待检测电流经由第一支路输出的第一输出结果；其中，所述第一输出结果根据所述待检测电流与所述第一支路中的NMOS管输出的第一电流之间的差值确定；若根据所述第一输出结果确定所述编程失败，则返回重新接收所述待检测电流的输入；获取所述待检测电流经由第二支路输出的第二输出结果；其中，所述第二输出结果根据所述待检测电流与所述第二支路中的电流控制模块输出的第二电流之间的差值确定；根据所述第二输出结果确定编程失败的位数。

【技术特征摘要】
1.一种基于电流比较的位扫描方法，其特征在于，包括：接收待检测电流的输入；获取所述待检测电流经由第一支路输出的第一输出结果；其中，所述第一输出结果根据所述待检测电流与所述第一支路中的NMOS管输出的第一电流之间的差值确定；若根据所述第一输出结果确定所述编程失败，则返回重新接收所述待检测电流的输入；获取所述待检测电流经由第二支路输出的第二输出结果；其中，所述第二输出结果根据所述待检测电流与所述第二支路中的电流控制模块输出的第二电流之间的差值确定；根据所述第二输出结果确定编程失败的位数。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一输出结果包括：用于指示编程成功的高电平和用于指示编程失败的低电平；其中，当所述待检测电流的电流值大于所述第一电流的电流值时，所述第一输出结果为高电平；否则，所述第一输出结果为低电平。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取所述待检测电流经由第二支路输出的第二输出结果，包括：通过所述电流控制模块调节所述第二电流的电流值；其中，不同电流值的第二电流对应不同的编程失败位数；依次获取所述待检测电流的电流值与调节后的第二电流的各个电流值的差值；根据所述差值确定对应的多个第二输出结果。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，根据所述第二输出结果确定编程失败的位数，包括：对所述根据所述差值确定的对应的多个第二输出结果进行解析，得到解析结果；根据所述解析结果确定所述编程失败的位数。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：通过逻辑控制模块控制所述第一支路导通、所述第二支路断开；或，通过逻辑控制模块控制所述第一支路断开、所述第二支路导通；其中，所述待检测电流的电流值根据位扫描检测分类电路对编程结果的分类结果确定。6.一种基于电流比较的位扫描系统，其特征在于，包括：第...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏志强，丁冲，陈立刚，谢瑞杰，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11