一种基于电流比较的位扫描方法和系统技术方案

技术编号:15054345 阅读:102 留言:0更新日期:2017-04-06 00:28
本发明专利技术提供了一种基于电流比较的位扫描方法和系统,其中,所述方法包括:接收待检测电流的输入;获取所述待检测电流经由第一支路输出的第一输出结果;其中,所述第一输出结果根据所述待检测电流与所述第一支路中的NMOS管输出的第一电流之间的差值确定;若根据所述第一输出结果确定所述编程失败,则返回重新接收所述待检测电流的输入;获取所述待检测电流经由第二支路输出的第二输出结果;其中,所述第二输出结果根据所述待检测电流与所述第二支路中的电流控制模块输出的第二电流之间的差值确定;根据所述第二输出结果确定编程失败的位数。通过本发明专利技术解决了目前位扫描检测精度低、准确性差的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电路检测
,特别是涉及一种基于电流比较的位扫描方法和系统。
技术介绍
为了确保NANDFLASH的数据正确性和防止存储单元过编程,通常需要对编程结果进行检测,以确定编程是否成功。目前,对编程结果的检测方式如下:先采用一个相对较小的编程电压进行编程,然后通过检测将首次编程后的结果分为三类:编程成功、编程阈值电压不满足要求,编程失败。根据检测结果,编程失败的存储单元采用更高的电压重新编程。然而,现有的方法检测精度较低,不能精确的检测出具体编程失败的位数,难以准确判断电子器件是否可以正常使用,例如,部分电子器件可以允许一定数量bit失败的编程结果,通过其他补偿方式来正常工作。
技术实现思路
本专利技术提供一种基于电流比较的位扫描方法和系统,以解决目前位扫描检测精度低、准确性差的问题。为了解决上述问题,本专利技术公开了一种基于电流比较的位扫描方法,包括:接收待检测电流的输入;获取所述待检测电流经由第一支路输出的第一输出结果;其中,所述第一输出结果根据所述待检测电流与所述第一支路中的NMOS管输出的第一电流之间的差值确定;若根据所述第一输出结果确定所述编程失败,则返回重新接收所述待检测电流的输入;获取所述待检测电流经由第二支路输出的第二输出结果;其中,所述第二输出结果根据所述待检测电流与所述第二支路中的电流控制模块输出的第二电流之间的差值确定;根据所述第二输出结果确定编程失败的位数。可选地,所述第一输出结果包括:用于指示编程成功的高电平和用于指示编程失败的低电平;其中,当所述待检测电流的电流值大于所述第一电流的电流值时,所述第一输出结果为高电平;否则,所述第一输出结果为低电平。可选地,获取所述待检测电流经由第二支路输出的第二输出结果,包括:通过所述电流控制模块调节所述第二电流的电流值;其中,不同电流值的第二电流对应不同的编程失败位数;依次获取所述待检测电流的电流值与调节后的第二电流的各个电流值的差值;根据所述差值确定对应的多个第二输出结果。可选地,根据所述第二输出结果确定编程失败的位数,包括:对所述根据所述差值确定的对应的多个第二输出结果进行解析,得到解析结果;根据所述解析结果确定所述编程失败的位数。可选地,所述方法还包括:通过逻辑控制模块控制所述第一支路导通、所述第二支路断开;或,通过逻辑控制模块控制所述第一支路断开、所述第二支路导通;其中,所述待检测电流的电流值根据位扫描检测分类电路对编程结果的分类结果确定。相应地,本专利技术还提供了一种基于电流比较的位扫描系统,包括:第一接收模块,用于接收待检测电流的输入;第一获取模块,用于获取所述待检测电流经由第一支路输出的第一输出结果;其中,所述第一输出结果根据所述待检测电流与所述第一支路中的NMOS管输出的第一电流之间的差值确定;第二接收模块,用于在根据所述第一输出结果确定所述编程失败时,重新接收所述待检测电流的输入;第二获取模块,用于获取所述待检测电流经由第二支路输出的第二输出结果;其中,所述第二输出结果根据所述待检测电流与所述第二支路中的电流控制模块输出的第二电流之间的差值确定;确定模块,用于根据所述第二输出结果确定编程失败的位数。可选地,所述第一输出结果包括:用于指示编程成功的高电平和用于指示编程失败的低电平;其中,当所述待检测电流的电流值大于所述第一电流的电流值时,所述第一输出结果为高电平;否则,所述第一输出结果为低电平。可选地,所述第二获取模块,包括:调节子模块,用于通过所述电流控制模块调节所述第二电流的电流值;其中,不同电流值的第二电流对应不同的编程失败位数;电流差值获取子模块,用于依次获取所述待检测电流的电流值与调节后的第二电流的各个电流值的差值;输出结果确定子模块,用于根据所述差值确定对应的多个第二输出结果。可选地,所述确定模块,包括:解析子模块,用于对所述根据所述差值确定的对应的多个第二输出结果进行解析,得到解析结果;确定子模块,用于根据所述解析结果确定所述编程失败的位数。可选地,所述系统还包括:逻辑控制模块,用于控制所述第一支路导通、所述第二支路断开;或,块控制所述第一支路断开、所述第一支路导通;其中,所述待检测电流的电流值根据位扫描检测分类电路对编程结果的分类结果确定。根据本专利技术公开的基于电流比较的位扫描方法,通过第一支路输出的第一输出结果完成位扫描的粗检测过程,然后,通过第二支路输出的第二输出结果完成对位扫描的精确检测,以确定出具体的编程失败的位数。可见,基于本专利技术所述的基于电流比较的位扫描方法实现了对编程失败bit数的精确检测,可以有效防止存储单元的过编程,确保了NANDFLASH数据的可靠性。此外,本专利技术通过电流比较的方式直接确定出结果,提高了检测效率,且在电路中即可实现,不需要设置多余的硬件设备或软件检测程序,节约了成本。附图说明图1是本专利技术实施例一中一种基于电流比较的位扫描方法的步骤流程图;图2是本专利技术实施例二中一种用于实现所述基于电流比较的位扫描方法的电路的原理图;图3是本专利技术实施例二中一种基于电流比较的位扫描方法的步骤流程图;图4是本专利技术实施例三中一种基于电流比较的位扫描系统的结构框图;图5是本专利技术实施例四中一种基于电流比较的位扫描系统的结构框图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。实施例一参照图1,示出了本专利技术实施例一中一种基于电流比较的位扫描方法的步骤流程图。在本实施例中,所述基于电流比较的位扫描方法包括:步骤102,接收待检测电流的输入。步骤104,获取所述待检测电流经由第一支路输出的第一输出结果。在本实施例中,所述第一输出结果也即所述待检测电流与所述第一支路中的第一电流之间的差值结果,该差值结果可以以电压或电平等形式体现。其中,所述第一支路中可以包括NMOS管,所述第一电流由所述NMOS管提供。在本实施例中,通过第一支路得到的扫描结果是粗扫描结果,即判断编程是失败还是成功,进一步地,在通过第一支路确定编程失败时,还可以通过第二支路进行精确扫描,以判断编程失败的具体位数:若根据所述第一输出结果确定所述编程失败,如,所述第一输出结果为低电平(0),则可以确定编程过程是失败的,此时,可以返回重新接收所述待检测电流的输入,进行二次检测,二次检测时通过第二支路实现的精确扫描过程,具体步骤如下:步骤106,若根据所述第一输出结果确定所述编程失败,则返回重新接收所述待检测电流的输入。步骤108,获取所述待检测电流经由第二支路输出的第二输出结果。在本实施例中,所述第二输出结果也即所述待检测电流与所述第二支路中的第二电流之间的差值结果,该差值结果以电压形式体现到输出端。其中,所述第二支路中包括电流控制模块,所述电流控制模块可以控制第二电流的电流值大小,通过对第二电流的电流值的调节,可以得到所述待检测电流与多个不同电流值的第二电流之间的差值结果,通过多得到的所述多个差值结果进行分析,进而可以确定出具体的编程失败位数。步骤110,根据所述第二输出结果确定编程失败的位数。综上所述,本实施例所述的基于电流比较的位扫描方法可以通过第一支路输出的第一输出结果完成位扫描的粗检测过程,然后,通过第二支路输出的第二输本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于电流比较的位扫描方法,其特征在于,包括:接收待检测电流的输入;获取所述待检测电流经由第一支路输出的第一输出结果;其中,所述第一输出结果根据所述待检测电流与所述第一支路中的NMOS管输出的第一电流之间的差值确定;若根据所述第一输出结果确定所述编程失败,则返回重新接收所述待检测电流的输入;获取所述待检测电流经由第二支路输出的第二输出结果;其中,所述第二输出结果根据所述待检测电流与所述第二支路中的电流控制模块输出的第二电流之间的差值确定;根据所述第二输出结果确定编程失败的位数。

【技术特征摘要】
1.一种基于电流比较的位扫描方法,其特征在于,包括:接收待检测电流的输入;获取所述待检测电流经由第一支路输出的第一输出结果;其中,所述第一输出结果根据所述待检测电流与所述第一支路中的NMOS管输出的第一电流之间的差值确定;若根据所述第一输出结果确定所述编程失败,则返回重新接收所述待检测电流的输入;获取所述待检测电流经由第二支路输出的第二输出结果;其中,所述第二输出结果根据所述待检测电流与所述第二支路中的电流控制模块输出的第二电流之间的差值确定;根据所述第二输出结果确定编程失败的位数。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一输出结果包括:用于指示编程成功的高电平和用于指示编程失败的低电平;其中,当所述待检测电流的电流值大于所述第一电流的电流值时,所述第一输出结果为高电平;否则,所述第一输出结果为低电平。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,获取所述待检测电流经由第二支路输出的第二输出结果,包括:通过所述电流控制模块调节所述第二电流的电流值;其中,不同电流值的第二电流对应不同的编程失败位数;依次获取所述待检测电流的电流值与调节后的第二电流的各个电流值的差值;根据所述差值确定对应的多个第二输出结果。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,根据所述第二输出结果确定编程失败的位数,包括:对所述根据所述差值确定的对应的多个第二输出结果进行解析,得到解析结果;根据所述解析结果确定所述编程失败的位数。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:通过逻辑控制模块控制所述第一支路导通、所述第二支路断开;或,通过逻辑控制模块控制所述第一支路断开、所述第二支路导通;其中,所述待检测电流的电流值根据位扫描检测分类电路对编程结果的分类结果确定。6.一种基于电流比较的位扫描系统,其特征在于,包括:第...

【专利技术属性】
技术研发人员:苏志强丁冲陈立刚谢瑞杰
申请(专利权)人:北京兆易创新科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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