用于传输线的屏蔽结构制造技术

一种屏蔽结构包括：第一梳状结构和第二梳状结构，限定于集成电路上的第一金属化层中，每个梳状结构包括多个齿，每个梳状结构的齿朝着另一齿状结构延伸；第一多个电传导过孔，从第一梳状结构向上延伸；第二多个电传导过孔，从第二梳状结构向上延伸；第一平面结构和第二平面结构，在第一金属化层之上的第二金属化层中；第三多个电传导过孔，从第一平面结构朝着第一多个电传导过孔向下延伸；以及第四多个电传导过孔，从第二平面结构朝着第二多个电传导过孔向下延伸。第一梳状结构和第二梳状结构、第一平面结构和第二平面结构以及第一电传导过孔、第二电传导过孔、第三电传导过孔和第四电传导过孔都在基本上相同电势。在一个实施例中，一个或者多个信号线在第一平面结构与第二平面结构之间位于第二金属化层中；并且在另一实施例中，它们位于第一金属化层与第二金属化层之间的第三金属化层中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及形成于集成电路后端中的屏蔽结构。
技术介绍
典型集成电路包括半导体衬底和在衬底之上的一系列金属互连层，在该衬底中和在该衬底上限定多个晶体管。互连层由金属间电介质层相互绝缘。在金属层中限定互连路径，并且在各种层中的路径之间产生选择性连接以便将形成于衬底中的晶体管连接到外部连接。关于附加信息，例如参见Plmnmer等人的Silicon VLSI TechnoloRY第 11 章(Prentice Hall,2000) ；Doering 等人的(ed. )Handbook of SemiconductorManufacturing Technology ( Ι 2 IK)(CRC Press 2008)。 近年来在集成电路的一些互连路径上传输的信号的频率已经上升至吉赫兹(GHz)范围中。在这些频率变得希望屏蔽互连路径；并且已经适配常规微波技术中使用多年的屏蔽结构用于在集成电路中使用。图IA-图IF描绘了若干常规屏蔽结构的截面。在图IA的截面中，微带10包括位于提供电流返回路径的接地平面14之上并且与接地平面14绝缘的信号线12。在其它一些实施例中，可以使用成对传输线而不是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.02.19 US 12/709,2891.一种屏蔽结构，包括 第一梳状结构和第二梳状结构，限定于集成电路上的第一金属化层中，每个梳状结构包括多个齿，每个梳状结构的所述齿朝着另一梳状结构延伸； 第一多个电传导过孔，从所述第一梳状结构向上延伸； 第二多个电传导过孔，从所述第二梳状结构向上延伸； 第一平面结构和第二平面结构，在所述第一金属化层之上的第二金属化层中； 第三多个电传导过孔，从所述第一平面结构朝着所述第一多个电传导过孔向下延伸；以及 第四多个电传导过孔，从所述第二平面结构朝着所述第二多个电传导过孔向下延伸，所述第一梳状结构和所述第二梳状结构、所述第一平面结构和所述第二平面结构以及所述第一电传导过孔、所述第二电传导过孔、所述第三电传导过孔和所述第四电传导过孔都处于基本上相同电势。2.根据权利要求I所述的屏蔽结构，其中每个梳状结构的所述齿在另一梳状结构的所述齿之间延伸。3.根据权利要求I所述的屏蔽结构，其中所述第一多个过孔中的所述电传导过孔在所述第三多个过孔中的所述电传导过孔之间延伸。4.根据权利要求I所述的屏蔽结构，还包括第一信号线，在所述第一平面结构与所述第二平面结构之间位于所述第二金属化层中。5.根据权利要求I所述的屏蔽结构，还包括第一信号线和第二信号线，在所述第一平面结构与所述第二平面结构之间位于所述第二金属化层中。6.根据权利要求I所述的屏蔽结构，其中所述平面结构中的至少一个平面结构为梳状结构。7.根据权利要求I所述的屏蔽结构，其中所述第一平面结构和所述第二平面结构为第三梳状结构和第四梳状结构，每个梳状结构包括多个齿，所述第三梳状结构的所述齿和所述第四梳状结构的所述齿朝着彼此延伸。8.根据权利要求7所述的屏蔽结构，其中至少一个信号线位于在所述第一金属化层与所述第二金属化层之间的第三金属化层中。9.根据权利要求7所述的屏蔽结构，其中第一信号线位于在所述第一金属化层与所述第二金属化层之间的第三金属化层中，并且第二信号线位于在所述第一金属化层与所述第二金属化层之间的第四金属化层中。10.一种屏蔽结构，包括 传导元件的第一阵列和第二阵列，限定于集成电路上的第一金属化层中，所述第一阵列的所述传导元件连接在一起并且在所述第二阵列的所述传导元件之间延伸，所述第二阵列的所述传导元件连接在一起； 第一多个电传导过孔，从所述第一阵列向上延伸； 第二多个电传导过孔，从所述第二阵列向上延伸； 第一平面结构和第二平面结构，在所述第一金属化层之上...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈淑鲜，J·T·瓦特，
申请(专利权)人：阿尔特拉公司，
类型：
国别省市：