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提供一种用于访问非易失性存储器单元的半导体器件。在一些实施例中，半导体器件具有包括源极、漏极和阱的半导体层的垂直叠层。向半导体器件施加漏极-源极偏置电压产生跨阱的穿通机制以在源极和漏极之间发起电流流动。...
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