用于提供半导体存储器装置的技术制造方法及图纸

本发明专利技术揭示用于提供半导体存储器装置的技术。在一个特定示范性实施例中，所述技术可实现为一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括以行及列的阵列布置的多个存储器单元。每一存储器单元包括第一区域、第二区域及体区域，所述体区域电容性地耦合到至少一个字线且安置在所述第一区域与所述第二区域之间。每一存储器单元还包括第三区域，其中所述第三区域可与所述第一区域、所述第二区域及所述体区域不同地掺杂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及半导体存储器装置，且更特定来说，涉及用于提供无结半导体存储器装置的技术。
技术介绍
半导体工业已经历允许半导体存储器装置的密度及/或复杂性的增加的技术进 步。并且，所述技术进步已允许各种类型的半导体存储器装置的功率消耗及封装尺寸的减小。存在使用改善性能、减少泄漏电流且增强总体缩放的技术、材料及装置来利用及/或制造先进半导体存储器装置的持续趋势。绝缘体上硅(SOI)及大块衬底为可用于制造此类半导体存储器装置的材料的实例。举例来说，此类半导体存储器装置可包括部分耗尽(PD)装置、完全耗尽(FD)装置、多栅极装置(例如，双栅极、三栅极或环绕栅极)及鳍式FET (Fin-FET)装置。半导体存储器装置可包括存储器单元，所述存储器单元具有带有其中可存储电荷的电浮动体区域的存储器晶体管。当过量多数电荷载流子存储在电浮动体区域中时，存储器单元可存储逻辑高(例如，二进制“I”数据状态)。当电浮动体区域耗尽多数电荷载流子时，存储器单元可存储逻辑低(例如，二进制“O”数据状态)。并且，半导体存储器装置可制造在绝缘体上硅(SOI)衬底或大块衬底上(例如，启用体隔离)。举例来说，半导体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：斯里尼瓦萨·拉奥·班纳，迈克尔·A·范巴斯柯克，蒂莫西·J·瑟噶特，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：